[发明专利]一种半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述封装方法用于将蓝光芯粒、绿光芯粒、红光芯粒按照预设排布规则连接至基板上，以得到RGB显示模组，所述封装方法包括：

获取所述基板的几何数据，根据所述基板的几何数据划定所述基板的封装区与非封装区；

对所述基板进行离子注入以在封装区内形成截止层，对所述基板的封装区的表面进行减薄处理至所述截止层，并在减薄处理的所述封装区的表面沉积双层的键合介质，包括沉积于所述封装区的表面之上的第一介质层以及沉积于所述第一介质层之上的第二介质层；其中，对所述基板进行离子注入包括N次离子注入，每次离子注入的离子注入能量均相等，向所述基板进行离子注入的离子包括碳离子；

将所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒按照预设排布规则布置于所述封装区之上，且与所述第二介质层接触；

在第一温度与第一压力的条件下，向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加压力以使所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒键合连接至所述第二介质层之上，在第二温度与第二压力的条件下，向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加压力以使所述第二介质层通过所述第一介质层键合连接至所述基板之上；

对键合后暴露于所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒以外的所述键合介质进行减薄处理使初始厚度减薄至一目标厚度，以使所述键合介质的厚度等于所述封装区的深度，得到所述RGB显示模组。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，对所述基板进行离子注入以在封装区内形成截止层，对所述基板的封装区的表面进行减薄处理至所述截止层，并在减薄处理的所述封装区的表面沉积双层的键合介质，包括沉积于所述封装区的表面之上的第一介质层以及沉积于所述第一介质层之上的第二介质层；其中，对所述基板进行离子注入包括N次离子注入，每次离子注入的离子注入能量均相等，向所述基板进行离子注入的离子包括碳离子的步骤，具体包括：

对所述基板进行离子注入以在所述基板内形成截止层；

根据所述基板的几何数据，在所述基板的第一表面覆盖能够暴露出所述封装区的表面的耐酸防护膜；

采用化学机械研磨工艺对所述封装区的表面进行研磨减薄至露出所述截止层，并在研磨过程中喷洒含有SiO₂颗粒的研磨液；

对所述基板进行净化处理，并对所述基板进行干燥处理；

采用物理气相沉积工艺在所述基板的第一表面依次沉积键合介质，其中，所述键合介质为Al₂O₃；

将所述耐酸防护膜去除，以去除沉积于所述耐酸防护膜之上的键合介质，以将所述键合介质的第一介质层与第二介质层保留于减薄后的所述封装区内。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，对所述基板进行离子注入以在所述基板内形成截止层的步骤，具体包括：

将所述基板放置于离子注入机的机台之上，控制所述基板进行转动；

在所述基板的转动过程中，对所述基板依次进行N次离子注入，直至所述基板内的离子浓度到达离子浓度预设值后，基于所述基板内注入的离子组分而形成所述截止层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在第一温度与第一压力的条件下，向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加压力以使所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒键合连接至所述第二介质层之上，在第二温度与第二压力的条件下，向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加压力以使所述第二介质层通过所述第一介质层键合连接至所述基板之上的步骤，具体包括：

在第一温度下，同时向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加第一压力；

在向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加所述第一压力的过程中，使所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒键合于所述第二介质层之上；

将所述第一温度进行升温得到第二温度，在所述第二温度下，同时向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加第二压力；

在向所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒施加所述第二压力的过程中，使所述第二介质层键合连接于所述第一介质层之上，以使所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒键合于所述基板的封装区之上；

逐渐降低所述第二温度至第三温度，以使所述蓝光芯粒、绿光芯粒与所述红光芯粒最终固定于所述基板的封装区之上。