[发明专利]一种晶圆结构的切片方法

说明书

本申请提供一种晶圆结构的切片方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干器件区和若干切割道区；在所述器件区形成第一沟槽、以及在所述切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述填充层不完全填充所述第二沟槽，并使所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔，相邻器件区分离。本申请所述的晶圆结构的切片方法，可以避免对晶圆造成损坏，提高器件可靠性，提高切割晶圆的效率，节约成本。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆结构的切片方法。

背景技术

在半导体制造领域，当在晶圆上制成晶粒(d i e)后，还需要通过切割工艺将晶圆切割为单个的晶粒，之后将该些晶粒封装形成可直接使用的芯片。切割过程在切割道中进行，然而切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处，所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。此外，随着半导体制程的发展，半导体器件尺寸越来也小，晶圆上芯片密度越来越大，导致切割道的面积占比越来越大，降低了晶圆表面的面积利用率，而且大量的切割工程降低了生产效率，提高了生产成本。

因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

发明内容

本申请提供一种晶圆结构的切片方法，一方面可以避免切割晶圆时对晶圆造成损坏，从而提高器件可靠性；另一方面可以提高切割晶圆的效率，节约成本。

本申请的一个方面提供一种晶圆结构的切片方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干用于形成半导体器件的器件区和若干用于形成切割道的切割道区，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；在所述晶圆第一面的器件区形成第一沟槽、以及在所述晶圆第一面的切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述填充层不完全填充所述第二沟槽，并使所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔，相邻器件区分离。

在本申请的一些实施例中，形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的方法包括：执行第一刻蚀工艺，刻蚀所述切割道区的晶圆第一面形成第二沟槽；执行第二刻蚀工艺，刻蚀所述器件区的晶圆第一面形成第一沟槽，同时刻蚀所述第二沟槽底部的晶圆使所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。

在本申请的一些实施例中，第一刻蚀工艺形成的第二沟槽的深度为H1，执行第二刻蚀工艺后所述第二沟槽的深度为H2，所述第一沟槽的深度为H3，H2比H3大0.5微米至100微米。

在本申请的一些实施例中，形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的方法包括：执行第三刻蚀工艺，刻蚀所述器件区的晶圆第一面形成第一沟槽，同时刻蚀所述切割道区的晶圆第一面形成第二沟槽；继续执行第四刻蚀工艺，刻蚀所述第二沟槽底部的晶圆使所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。

在本申请的一些实施例中，第三刻蚀工艺形成的所述第一沟槽的深度为h1，第二沟槽的深度为h2，执行第四刻蚀工艺后所述第二沟槽的深度为h3，h3比h1大0.5微米至100微米。

在本申请的一些实施例中，所述贯穿孔的宽度为10纳米至80微米，所述第二沟槽的宽度小于等于100微米。

在本申请的一些实施例中，减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔，相邻器件区分离的方法包括：在所述晶圆第一面形成承载基底；减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔；去除所述承载基底，使相邻器件区分离。

在本申请的一些实施例中，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面临时键合承载晶圆，所述承载晶圆为所述承载基底。