[发明专利]一种晶圆结构的切片方法

权利要求书

1.一种晶圆结构的切片方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括若干用于形成半导体器件的器件区和若干用于形成切割道的切割道区，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；

在所述晶圆第一面的器件区形成第一沟槽、以及在所述晶圆第一面的切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；

在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述填充层不完全填充所述第二沟槽，并使所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；

减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔，相邻器件区分离。

2.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的方法包括：

执行第一刻蚀工艺，刻蚀所述切割道区的晶圆第一面形成第二沟槽；

执行第二刻蚀工艺，刻蚀所述器件区的晶圆第一面形成第一沟槽，同时刻蚀所述第二沟槽底部的晶圆使所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。

3.如权利要求2所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，第一刻蚀工艺形成的第二沟槽的深度为H1，执行第二刻蚀工艺后所述第二沟槽的深度为H2，所述第一沟槽的深度为H3，H2比H3大0.5微米至100微米。

4.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的方法包括：

执行第三刻蚀工艺，刻蚀所述器件区的晶圆第一面形成第一沟槽，同时刻蚀所述切割道区的晶圆第一面形成第二沟槽；

继续执行第四刻蚀工艺，刻蚀所述第二沟槽底部的晶圆使所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。

5.如权利要求4所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，第三刻蚀工艺形成的所述第一沟槽的深度为h1，第二沟槽的深度为h2，执行第四刻蚀工艺后所述第二沟槽的深度为h3，h3比h1大0.5微米至100微米。

6.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，所述贯穿孔的宽度为10纳米至80微米，所述第二沟槽的宽度小于等于100微米。

7.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔，相邻器件区分离的方法包括：

在所述晶圆第一面形成承载基底；

减薄所述晶圆第二面至暴露出所述贯穿孔；

去除所述承载基底，使相邻器件区分离。

8.如权利要求8所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面临时键合承载晶圆，所述承载晶圆为所述承载基底。

9.如权利要求8所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面形成有机膜，所述有机膜为所述承载基底。

10.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，所述半导体器件为电容器，在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔的方法包括：在所述第一沟槽底部和侧壁、所述晶圆第一面以及所述第二沟槽底部和侧壁依次形成下电极层、介电层和上电极层，所述下电极层、介电层和上电极层填满所述第一沟槽，但不填满所述第二沟槽，所述第一沟槽中的下电极层、介电层和上电极层形成所述电容器，所述第二沟槽中的下电极层、介电层和上电极层形成所述填充层。