[发明专利]一种高渗透型低温脱胶剂

说明书

本发明属于硅片加工领域，具体涉及一种硅片切割脱胶用高渗透型低温脱胶剂，该脱胶剂的组分包括乳酸、渗透剂、表面活性剂、醇醚溶剂和去离子水。本发明的高渗透型低温脱胶剂，可实现低温快速脱胶，减少脱胶返工，明显提高脱胶效率，降低硅片不合格率，提升硅片切割工艺整体产能，并且具有制备方法简单，成本低廉的优点。

技术领域

本发明属于硅片加工领域，特别涉及一种硅片加工用高渗透型低温脱胶剂及其制备方法和应用。

背景技术

随着全球太阳能和微电子行业的飞速发展，硅片日趋薄片化，对硅片切割工艺提出了更高的要求。硅片的脱胶为硅片切割工艺中的一道工序，传统的脱胶工艺中，使用以乳酸和/或柠檬酸为主要有效成分的脱胶剂。如专利CN106590969A公开了一种金刚线切割的晶体硅片的超声脱胶方法，采用60～80wt％乳酸水溶液作为脱胶剂，脱胶温度为60～75℃，脱胶时间为500～700s；专利CN105855213A公开了一种硅晶片脱胶工艺，采用40％wt％乳酸水溶液作为脱胶剂，脱胶温度为65～70℃，脱胶时间为450s～500s。可见传统的脱胶剂渗透能力较差，短时间内无法渗入锯缝中带出硅片和硅片之间夹杂的硅粉，脱胶温度高，脱胶时间长，制约了硅片切割工艺整体产能的提升，此外，由于脱胶温度高于60℃，大大增加了硅片被氧化的风险。

专利CN 112745991 A公开了一种脱胶剂，包括有机酸和渗透润湿剂，通过渗透润湿剂和有机酸相互协同配合，辅助有机酸高效渗透。但是该脱胶剂的脱胶温度为70℃，脱胶时间为600～800s，仍然存在脱胶温度高，脱胶时间长，从而导致硅片被氧化的风险增加。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种高渗透型低温脱胶剂，用于硅片切割工艺中的脱胶处理。

为达上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种高渗透型低温脱胶剂，其组分包括乳酸、渗透剂、表面活性剂、醇/醚溶剂和去离子水，按质量百分比为：

其中，渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚，起到快速使酸溶液进入硅片夹缝中间与粘棒胶接触；表面活性剂为异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯或异癸醇聚氧乙烯醚磷酸酯，有助于硅片中间硅粉的排出；醇/醚溶剂为戊醇、己醇、二乙二醇丁醚中的任意一种，有助于增加渗透剂在水中的溶解度。

本发明还提供了一种高渗透型低温脱胶剂的制备方法，即：向去离子水中加入乳酸、渗透剂、表面活性剂和醇/醚溶剂，搅拌均匀，制得高渗透型低温脱胶剂。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明的高渗透型低温脱胶剂在硅片脱胶工序使用时，脱胶温度在30℃～50℃，脱胶时间在300s～450s。本发明的高渗透型低温脱胶剂，可实现低温快速脱胶，减少脱胶返工，明显提高脱胶效率，降低硅片不合格率，提升硅片切割工艺整体产能，并且具有制备方法简单，成本低的优点。

具体实施方式

下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该知道，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的限制。

实施例1

乳酸 350g

脂肪醇聚氧乙烯醚 50g

异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯50g

二乙二醇丁醚70g

去离子水480g。

将上述乳酸、渗透剂、表面活性剂和醇/醚溶剂加入到去离子水中，室温搅拌1小时，制得高渗透型低温脱胶剂。

实施例2

乳酸 350g

烷基酚聚氧乙烯醚 50g