[发明专利]绝缘物被覆软磁性粉末及其制造方法、压粉磁心、磁性元件、电子设备以及移动体

说明书

本发明提供一种绝缘物被覆软磁性粉末及其制造方法、压粉磁心、磁性元件、电子设备以及移动体。所述绝缘物被覆软磁性粉末及其制造方法对高频区域中的涡电流损耗进行抑制、且能够制造高导磁率的磁性元件，所述压粉磁心包含所述绝缘物被覆软磁性粉末，所述磁性元件具备所述压粉磁心，所述电子设备以及所述移动体具备所述磁性元件。所述绝缘物被覆软磁性粉末的特征在于，具备软磁性粉末和绝缘覆膜，所述绝缘覆膜对所述软磁性粉末的粒子表面进行被覆，并含有氟化合物，所述软磁性粉末的平均粒径为1μm以上且15μm以下，所述绝缘覆膜的平均厚度为5nm以上且50nm以下，所述氟化合物的相对介电常数为5.0以下。

技术领域

本发明涉及一种绝缘物被覆软磁性粉末、绝缘物被覆软磁性粉末的制造方法、压粉磁心、磁性元件、电子设备以及移动体。

背景技术

在专利文献1中，公开了一种如下的磁性材料，所述磁性材料具备在表面上具有无机绝缘覆膜的铁系软磁性体粉末、和被形成在无机绝缘覆膜的表面上的氟树脂覆膜。其中，氟树脂覆膜为，形成在无机绝缘覆膜的表面上的改性氟涂层膜、与形成在该膜上的全氟化树脂覆膜的复合氟树脂覆膜。

这种氟树脂覆膜的耐热性较为优异。因此，专利文献1所记载的磁性材料对于例如被安装在高频淬火装置的加热线圈部等中的软质磁芯的制造而言较为优选。

近年来，软质磁芯在高频区域中被使用的情况正在增多。在高频区域中，由于在软质磁芯的内部所产生的磁场的变化而使涡电流产生，这成为涡电流损耗的原因。作为抑制涡电流的要素之一，可以列举出对软磁性粉末的粒子表面进行被覆的绝缘膜的介电常数。通过降低介电常数，从而能够抑制涡电流。

在专利文献1所记载的磁性材料中，在铁系软磁性体粉末的表面上形成有无机绝缘覆膜，并且在该膜的表面上形成有氟树脂覆膜。由于无机绝缘覆膜的介电常数比较高，因此存在无法充分地抑制在高频区域中于粒子间所产生的涡电流这一课题。

另一方面，虽然通过增厚无机绝缘覆膜的膜厚而能够抑制在粒子间所产生的涡电流，但是在此情况下，软质磁芯中的软磁性材料的体积比率会下降。于是，软质磁芯的导磁率会下降，从而软质磁芯的小型化变得困难。

专利文献1：日本特开2017-188680号公报

发明内容

本发明的应用例所涉及的绝缘物被覆软磁性粉末的特征在于，具备：软磁性粉末；绝缘覆膜，其对所述软磁性粉末的粒子表面进行被覆，并含有氟化合物，所述软磁性粉末的平均粒径为1μm以上且15μm以下，所述绝缘覆膜的平均厚度为5nm以上且50nm以下，所述氟化合物的相对介电常数为5.0以下。

本发明的应用例所涉及的绝缘物被覆软磁性粉末的制造方法的特征在于，具有如下工序，即，通过对软磁性粉末和由氟化合物构成的氟化合物粉末进行混合而使所述氟化合物粉末机械性地附着在所述软磁性粉末的粒子表面上，从而形成对所述软磁性粉末的粒子表面进行被覆的绝缘覆膜，并由此制造出绝缘物被覆软磁性粉末，在所述绝缘物被覆软磁性粉末的制造方法中，所述绝缘物被覆软磁性粉末的平均粒径为1μm以上且15μm以下，所述绝缘覆膜的平均厚度为5nm以上且50nm以下，所述氟化合物的相对介电常数为5.0以下。

本发明的应用例所涉及的绝缘物被覆软磁性粉末的制造方法的特征在于，具有如下工序，即，通过使含氟气体在单体气体中发生聚合反应，从而形成含有氟化合物且对软磁性粉末的粒子表面进行被覆的绝缘覆膜，并由此制造出绝缘物被覆软磁性粉末，在所述绝缘物被覆软磁性粉末的制造方法中，所述绝缘物被覆软磁性粉末的平均粒径为1μm以上且15μm以下，所述绝缘覆膜的平均厚度为5nm以上且50nm以下，所述氟化合物的相对介电常数为5.0以下。