[发明专利]一种宏通道高功率半导体叠阵激光器

权利要求书

1.一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，包括自上往下依次设置的负极水道(1)、绝缘片(2)、负极(3)、半导体激光器模块(4)和正极(5)，其特征在于，所述负极(3)和正极(5)相对的一侧均设有与半导体激光器模块(4)对应的安装槽，所述半导体激光器模块(4)由多个半导体激光单元(6)叠阵组成；

所述半导体激光单元(6)包括热沉(7)和芯片(8)，所述热沉(7)的一端固定封装有次热沉(9)，所述芯片(8)固定封装于次热沉(9)上，所述热沉(7)的上方设有负极连接片(10)，所述负极连接片(10)与热沉(7)之间通过绝缘层(13)连接，所述芯片(8)通过金线(11)与负极连接片(10)连接；

所述热沉(7)包括芯片封装区(701)，所述芯片封装区(701)的一端设有多个第一水孔(702)，所述芯片封装区(701)远离第一水孔(702)的一端设有第二水孔(703)，所述第一水孔(702)和第二水孔(703)之间设有产品组装区(704)，所述热沉(7)的背面设有与第一水孔(702)和第二水孔(703)分别对应的凹槽结构(705)，所述热沉(7)靠近第一水孔(702)的一端设有避空结构(706)。

2.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述负极(3)和正极(5)的一端通过绝缘块(12)连接。

3.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，多个所述半导体激光单元(6)的数目为十二个。

4.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述次热沉(9)为钨铜材质，且厚度为0.2mm、宽度为10.2mm长度为1.5mm。

5.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述热沉(7)的厚度为2.6mm、宽度为10.8mm、长度为27.5mm。

6.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述负极连接片(10)的厚度为0.3mm、宽度为10.8mm、长度为23.5mm。

7.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述金线(11)的线径为50微米，金线数量150pcs。

8.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述避空结构(706)的长为10.8mm、宽为4mm、厚度0.6mm。

9.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，多个所述第一水孔(702)为均匀分布的8个直径1.2mm的圆孔水道。

10.根据权利要求1所述的一种宏通道高功率半导体叠阵激光器，其特征在于，所述凹槽结构(705)的宽为1.5mm、深度为0.8mm。