[发明专利]通过以水平旋转运动移动束的点加热在审
申请号: | 202310043962.4 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN116169060A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 刘树坤;中川敏行;叶祉渊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B25/10;C30B25/08;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 水平 旋转 运动 移动 加热 | ||
本公开内容的实施方式总体涉及用于半导体处理的设备和方法,更特定言之,涉及热工艺腔室。在一个或多个实施方式中,工艺腔室包含第一窗、第二窗、设置在第一窗与第二窗之间的基板支撑件,和设置在第一窗上方且经配置为经由第一窗提供辐射能量的机动可旋转辐射点加热源。
本申请是申请日为2021年5月10日、申请号为202180011984.1、发明名称为“通过以水平旋转运动移动束的点加热”的发明专利申请的分案申请。
背景
技术领域
本公开内容的实施方式总体涉及用于半导体处理的设备和方法,更特定言之,涉及热工艺腔室和在热工艺腔室中使用的点加热器。
背景技术
半导体基板经处理以用于多种应用,包括集成器件和微型器件的制造。在处理期间,基板定位在工艺腔室内的基板支撑件上。基板支撑件由能围绕中心轴线旋转的支撑轴支撑。对加热源的精确控制允许在极严格的容差(tolerance)内加热基板。基板的温度可影响沉积在基板上的材料的均匀性。
尽管对加热基板进行精确控制,但已观察到在基板上的某些地点(location)处形成凹部(较低的沉积)。因此,需要用于改善加热均匀性的设备。
发明内容
本公开内容的实施方式总体涉及用于半导体处理的设备和方法,更特定言之,涉及点加热源、包括点加热源的热工艺腔室和使用点加热源的方法。在一个或多个实施方式中,工艺腔室包含第一窗、第二窗、设置在第一窗与第二窗之间的基板支撑件,和设置在第一窗上方且经配置为经由第一窗提供辐射能量的机动可旋转辐射点加热源。
在一个或多个实施方式中,点加热源组件包含准直器保持器和设置在第一平面中的旋转台,其中准直器保持器以相对于第一平面的锐角安装至旋转台。
在一个或多个实施方式中,一种用于点加热的方法包含将基板设置在工艺腔室中的基板支撑件上,启动安装在旋转台上的点加热源以将辐射能量投射至基板,沿弓形(arcuate)路径移动点加热源以调整所投射的辐射能量在基板上的撞击点,和用所投射的辐射能量加热基板的期望区域。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容的上述特征,可通过参考实施方式对以上简要概述的本公开内容进行更具体的描述,实施方式中的一些在附图中图示。然而,应当注意,附图仅图示示例性实施方式,且因此不应被认为是对实施方式的范围的限制,且可允许其他同样有效的实施方式。
图1A为根据一个或多个实施方式的工艺腔室的示意性横截面侧视图。
图1B为根据另一实施方式的工艺腔室的示意性横截面侧视图。
图2A为根据一个或多个实施方式的点加热源组件辐射路径的示意性透视侧视图。
图2B为根据一个或多个实施方式的图2A的点加热源组件的示意性俯视图。
图2C为根据一个或多个实施方式的反射器的示意性俯视图。
图3A为根据一个或多个实施方式的图2A的点加热源组件的示意性横截面图。
图3B为根据一个或多个实施方式的图2A的点加热源组件的示意性横截面图。
图3C为根据一个或多个实施方式的图2A的点加热组件的示意性横截面图。
图4为根据一个或多个实施方式的方法的流程图。
为了便于理解,在可能的情况下使用相同的参考数字来指定附图共有的相同元件。考虑一个实施方式的元件和特征可有益地并入至其他实施方式中,而无需进一步叙述。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造