[发明专利]通过以水平旋转运动移动束的点加热在审
申请号: | 202310043962.4 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN116169060A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 刘树坤;中川敏行;叶祉渊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B25/10;C30B25/08;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 水平 旋转 运动 移动 加热 | ||
1.一种工艺腔室,包含:
腔室主体;
第一窗,定位在所述腔室主体上方;
基板支撑件,设置在所述腔室主体中;和
辐射点加热源,设置在所述第一窗上方以用于经由所述第一窗提供辐射能量,所述辐射点加热源经配置为旋转来以弓形图案引导所述辐射
能量。
2.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述辐射点加热源安装至旋转台,所述旋转台设置在第一平面中,并且所述辐射点加热源以相对于所述第一平面的锐角定位。
3.如权利要求2所述的工艺腔室,进一步包含冷却板,其中所述旋转台设置在所述冷却板上。
4.如权利要求3所述的工艺腔室,其中所述锐角在75度至85度的范围内。
5.如权利要求4所述的工艺腔室,其中弓形路径在60度至180度的范围内。
6.如权利要求4所述的工艺腔室,其中弓形路径在60度至120度的范围内。
7.如权利要求3所述的工艺腔室,其中所述旋转台围绕竖直轴线旋转。
8.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述辐射点加热源以在900nm与1000nm之间的波长输出辐射。
9.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述工艺腔室进一步包含热屏蔽件,并且所述热屏蔽件包括开口以允许来自所述点加热源的辐射经由所述开口行进。
10.一种工艺腔室,包含:
腔室主体;
热屏蔽件,设置在所述腔室主体上方,所述热屏蔽件包括具有长方形形状的开口;
第一窗,定位在所述热屏蔽件下方;
基板支撑件,设置在所述腔室主体中;和
辐射点加热源,定位为经由所述第一窗和所述热屏蔽件的所述开口朝向所述基板支撑件提供辐射能量,所述辐射点加热源经配置为旋转来以弓形图案引导所述辐射能量。
11.如权利要求10所述的点加热源组件,进一步包含:
冷却板和旋转台,其中所述旋转台与所述冷却板直接接触,所述冷却板安装在平行于所述基板支撑件的第二平面中。
12.如权利要求11所述的工艺腔室其中来自辐射点加热源的所述辐射能量经由所述热屏蔽件的所述长方形开口而被引导。
13.如权利要求10所述的工艺腔室,进一步包含第二辐射点加热源。
14.如权利要求13所述的工艺腔室,进一步包含第三辐射点加热源。
15.如权利要求10所述的工艺腔室,进一步包含反射器,所述反射器具有开口,所述开口具有弯曲形状,以用于经由所述开口引导所述辐射能量。
16.如权利要求15所述的工艺腔室,其中所述反射器的所述开口与所述热屏蔽件的所述开口从彼此偏移。
17.一种工艺腔室,包含:
腔室主体;
反射器,定位在所述腔室主体上方,所述反射器具有形成在所述反射器中的开口,所述开口具有弯曲形状;
基板支撑件,设置在所述腔室主体中;
热屏蔽件,设置在所述反射器上方,所述热屏蔽件包括具有长方形形状的开口;和
辐射点加热源,定位为经由所述反射器的所述开口和所述热屏蔽件的所述开口朝向所述基板支撑件提供辐射能量,所述辐射点加热源经配置为旋转来以弓形图案引导所述辐射能量。
18.如权利要求17所述的工艺腔室,其中弓形路径在60度至120度的范围内。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造