[发明专利]改善卡点印的硅片表面沉积工艺

说明书

本发明涉及一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，包括：S1，预通气：在氧化铝成膜前，通入笑气和三甲基铝，并恒定压力；S2，氧化铝沉积：继续通入笑气和三甲基铝，并间歇性开启射频，以在石墨舟上的硅片表面沉积氧化铝；其中，射频功率为5000W，射频开关比为20ms:1200ms。本发明解决了氧化铝卡点位置形成卡点印的问题。

技术领域

本发明涉及硅片沉积领域，具体涉及一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺。

背景技术

随着PERC逐年增产需求，对应氧化铝增大产量的方式也在优化，目前多数都是用管式笑气(一氧化氮)和三甲基铝(TMA)进行反应形成氧化铝，授权公告号为CN113322451B的专利就是采用此种方式生成氧化铝。

石墨舟卡点位置温度由于焦耳效应，卡点位置温度高于硅片中心区域温度，此位置沉积速率发生改变，发生卡点下点位EL发黑情况，因此，亟需开发一种新的硅片表面沉积工艺，以解决卡点下点位EL发黑情况。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，以解决氧化铝卡点位置形成卡点印的问题。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，包括：

S1，预通气：在氧化铝成膜前，通入笑气和三甲基铝，并恒定压力；

S2，氧化铝沉积：继续通入笑气和三甲基铝，并间歇性开启射频，以在石墨舟上的硅片表面沉积氧化铝；其中，射频功率为3000～5000W，射频开关比的比值小于0.02。

进一步，S2中，射频开关比为20ms:1200ms。

进一步，S1中，工艺温度为350℃，笑气流量为5000±500sccm，三甲基铝流量为50g/h，压力为1500mtorr，工艺时间为20s。

进一步，S2中，工艺温度为350℃，笑气流量为5000±500sccm，三甲基铝流量为50g/h，压力为1500mtorr，工艺时间为120s。

射频开20ms，关1200ms，在120s内一直如此重复，射频在打开的状态下，将气体打成等离子体，在关闭的状态下，这些等离子体形成薄膜。

进一步，工艺还包括：

S3，笑气修复：抽真空后，通入清洗气体，并间歇性开启射频，以清理残留的反应气体；其中，清洗气体为笑气和氨气的混合气体或笑气。

残留的三甲基铝和笑气对氧化铝腐蚀性较强，增加笑气修复，可以减少其腐蚀性，同时注入向膜层内注入O，使界面处形成用于价电子传输的SiOx层，并且提升了AlOx的Al-O四面体结构占比和Si-O键成键比例，明显改善了钝化效果。

进一步，S3中，气体流量为5000±500sccm，压力为1500mtorr，射频功率为4000W，开关比为50ms:1000ms。

进一步，工艺还包括：

S4，沉积氮化硅：抽真空后，通入硅烷和氨气，并间歇性开启射频，以在最外层沉积氮化硅。

由于氮化硅折射率最低，所以最外层增加氮化硅层，增加其吸光效果。

进一步，S4中，工艺时间600±50s，硅烷流量为1500±300sccm，氨气流量为12000±500sccm，射频功率为13000W，射频开关比为50ms:500ms，压强为1600±300mtorr。

进一步，工艺还包括：

S5，出舟：抽真空，使炉内压强为零，然后充氮气，使炉内压强达到与大气压等同，开炉门出舟。

进一步，S1前还包括：