[发明专利]改善卡点印的硅片表面沉积工艺

权利要求书

1.一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

包括：

S1，预通气：在氧化铝成膜前，通入笑气和三甲基铝，并恒定压力；

S2，氧化铝沉积：继续通入笑气和三甲基铝，并间歇性开启射频，以在石墨舟上的硅片表面沉积氧化铝；其中，射频功率为3000～5000W，射频开关比的比值小于0.02。

2.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

S2中，射频开关比为20ms:1200ms。

3.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

S1中，工艺温度为350℃，笑气流量为5000±500sccm，三甲基铝流量为50g/h，压力为1500mtorr，工艺时间为20s。

4.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

S2中，工艺温度为350℃，笑气流量为5000±500sccm，三甲基铝流量为50g/h，压力为1500mtorr，工艺时间为120s。

5.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

还包括：

S3，笑气修复：抽真空后，通入清洗气体，并间歇性开启射频，以清理残留的反应气体；其中，清洗气体为笑气和氨气的混合气体或笑气。

6.根据权利要求5所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

S3中，气体流量为5000±500sccm，压力为1500mtorr，射频功率为4000W，开关比为50ms:1000ms。

7.根据权利要求5所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

还包括：

S4，沉积氮化硅：抽真空后，通入硅烷和氨气，并间歇性开启射频，以在最外层沉积氮化硅。

8.根据权利要求7所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

S4中，工艺时间600±50s，硅烷流量为1500±300sccm，氨气流量为12000±500sccm，射频功率为13000W，射频开关比为50ms:500ms，压强为1600±300mtorr。

9.根据权利要求7所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

还包括：

S5，出舟：抽真空，使炉内压强为零，然后充氮气，使炉内压强达到与大气压等同，开炉门出舟。

10.根据权利要求1所述的改善卡点印的硅片表面沉积工艺，其特征在于，

S1前还包括：

S01，入炉：将进行洗磷后抛光的硅片放入PE镀膜设备的石墨舟的舟托上，然后匀速推至炉内，推入过程中同时向炉内充入氮气，炉内初始温度为400±70℃，氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mtorr；

S02，恒温：将石墨舟推送至炉内指定位置后，SiC桨退回至炉外初始位置，关闭炉门，温度恒定在300±50℃，氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mtorr；

S03，抽真空：温度稳定后，对炉内进行抽真空，使炉内保持低压真空状态然后对炉管进行气密性检测。