[发明专利]一种晶体硅返工片的清洗方法

说明书

在光伏产业中，晶硅占据的生产成本超过40%，是最贵的原材料之一。然而在实际生产中不良品是产生在所难免，为此，本发明提出了一种晶体硅返工片的清洗方法，包括以下步骤：S1 利用酸性溶液对晶体硅返工片进行清洗，去除PECVD在晶体硅表面沉淀的氧化铝和氮化硅的钝化层；S2 利用稀碱液去除晶硅的钝化层；S3 利用氢氟酸溶液去除多余的二氧化硅。通过本发明，可以有效洗除硅晶不良品表面的膜层，有利于硅晶重新制绒投入使用，大大节约了生产成本，提高了产品的综合良率。

技术领域

本发明涉及晶体硅的加工生产领域，尤其涉及一种晶体硅返工片的清洗方法。

背景技术

随着太阳能电池行业的不断发展，太阳能电池片的生产流程不断优化，电池片不断迭代，高效电池占领市场的比重越来越大，钝化效果越来越好，在正常的生产过程中，由于环境污染、机械人工接触摩擦、设备工艺缺陷等因素，必然会存在不良品。晶硅生产过程中硅片占据的生产成本超过40%，是最贵的原材料之一。因此，合适的返工清洗流程，去除PECVD的膜层、重新制绒进行二次工艺，可以实现不良品的二次正常使用，降低了生产成本。返工片如果表面膜层去除不干净，残留的膜层会阻碍二次制绒反应，从而导致二次制绒后出现绒面不均，外观异常，还会造成EL下的黑斑，影响良率。

发明内容

发明目的

针对现有的不良品晶体硅片造成生产成本过高的问题，本发明提供了一种晶体硅返工片的清洗方法。

技术方案

为实现以上目的，本发明采取了以下技术方案。

一种晶体硅返工片的清洗方法，包括以下步骤：

S1 利用酸性溶液对晶体硅返工片进行清洗，去除PECVD在晶体硅表面沉淀的氧化铝和氮化硅的钝化层；

S2 利用稀碱液去除晶硅的钝化层；

S3 利用氢氟酸溶液去除多余的二氧化硅。

进一步地，步骤S1中所述酸性溶液含有氢氟酸和盐酸，其中，氢氟酸质量浓度为0.1%-20%，盐酸质量浓度为0.1%-20%。

进一步地，步骤S2中所述稀碱液中包含氢氧化钾，其中，氢氧化钾的质量浓度0.1%-10%。

进一步地，步骤S3中所述氢氟酸溶液的浓度为0.1%-10%。

有益效果

本发明可以有效洗除硅晶不良品表面的膜层，有利于重新制绒投入使用，大大节约了生产成本，提高了产品的综合良率。

附图说明

图1为本发明的步骤示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的内容，现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

实施例

一种晶体硅返工片的清洗方法，包括以下步骤：

S1 利用氢氟酸和盐酸的混酸溶液对晶体硅返工片进行清洗，去除PECVD在晶体硅表面沉淀的氧化铝和氮化硅的钝化层，其中混酸溶液中氢氟酸的浓度为10%，盐酸的浓度为12%；

S2 利用氢氧化钾溶液去除晶硅的钝化层，其中氢氧化钾的浓度为6%；

S3 利用氢氟酸溶液去除多余的二氧化硅，其中氢氟酸溶液的浓度为1%。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。