[发明专利]一种晶体硅返工片的清洗方法在审
| 申请号： | 202310033495.7 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN115831718A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李静;衣玉林 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 龚拥军 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 返工 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅返工片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1 利用酸性溶液对晶体硅返工片进行清洗，去除PECVD在晶体硅表面沉淀的氧化铝和氮化硅的钝化层；
S2 利用稀碱液去除晶硅的钝化层；
S3 利用氢氟酸溶液去除多余的二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅返工片的清洗方法，其特征在于：步骤S1中所述酸性溶液含有氢氟酸和盐酸，其中，氢氟酸质量浓度为0.1%-20%，盐酸质量浓度为0.1%-20%。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅返工片的清洗方法，其特征在于：步骤S2中所述稀碱液中包含氢氧化钾，其中，氢氧化钾的质量浓度0.1%-10%。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅返工片的清洗方法，其特征在于：步骤S3中所述氢氟酸溶液的浓度为0.1%-10%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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