[发明专利]一种功率模块与电子设备在审

专利信息
申请号: 202310013660.2 申请日: 2023-01-05
公开(公告)号: CN115966530A 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 杨宁;梁钰茜;魏思;孙鹏;邹铭锐;曾正 申请(专利权)人: 湖南三安半导体有限责任公司;重庆大学
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/14;H01L23/48;H01L25/065
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 戴尧罡
地址: 410000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 模块 电子设备
【权利要求书】:

1.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括:

散热底板:

位于所述散热底板上的绝缘基板,其中,所述绝缘基板的表面设置有金属层;

设置于所述绝缘基板上且与所述金属层电连接的多个芯片;其中,所述多个芯片中包括多个并联的上管与多个并联的下管,所述上管与所述下管的数量相同,且所述上管与所述下管均呈阵列排布;

金属端子,所述金属端子与所述金属层电连接。

2.如权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述金属端子包括功率端子,所述功率端子中包括直流正极端子、直流负极端子以及交流端子,所述功率模块还包括上桥金属框架与下桥金属框架;其中,

所述上管的第一端与所述直流正极端子电连接,所述上桥金属框架分别与所述上管的第二端、所述下管的第一端以及所述交流端子电连接;所述下桥金属框架分别与所述下管的第二端,所述直流负极端子电连接。

3.如权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述上桥金属框架与所述下桥金属框架上均设置有锡球植入孔,所述上桥金属框架与所述下桥金属框架通过所述锡球植入孔与所述上管和/或所述下管电连接。

4.如权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括感温电阻,所述感温电阻设置于靠近所述芯片的位置,所述金属端子包括温度测量输出端子,所述感温电阻与所述温度测量输出端子电连接。

5.如权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述散热底板的表面与所述绝缘基板直接连接,所述散热底板的底面设置有多个间隔设置的凸起。

6.如权利要求5所述的功率模块,其特征在于,所述散热底板还集成有水冷散热底座,所述水冷散热底座中包括有冷却液,所述凸起与所述冷却液接触。

7.如权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述金属端子包括功率端子与信号端子,所述功率端子中包括直流负极端子、交流端子以及两个直流正极端子,两个直流正极端子分别位于所述直流负极端子的两侧,且两个直流正极端子对称设置。

8.如权利要求7所述的功率模块,其特征在于,所述芯片为开关管芯片,所述功率模块还包括第一开尔文母排与第二开尔文母排,所述上管的栅极与源极均与所述第一开尔文母排电连接,所述下管的栅极与源极均与所述第二开尔文母排电连接。

9.如权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述芯片呈双排阵列设置,且每排芯片均镜像排列。

10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至9任一项所述的功率模块。

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