[发明专利]一种基于ATE的射频识别芯片的电特性测试方法

权利要求书

1.一种基于ATE的射频识别芯片的电特性测试方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤S1，产生首次激励信号，根据首次激励信号按照射频识别待测芯片所应用的通信协议格式生成激励格式信号，发送至射频识别待测芯片；并根据射频识别待测芯片的返回激励格式信号测试Frequency值，根据Frequency值调整激励格式信号，直到Frequency值调整到目标区间内，反向链路频率调节完成；

步骤S2，反向链路频率调节完成后，根据初始化要求生成初始化二进制数据，并进行分割，将分割数据末尾嫁接上地址后对应发送至射频识别待测芯片的各地址中；并对射频识别待测芯片返回的数据进行判别，当返回数据全部满足判据要求时初始化成功；

步骤S3，初始化成功后，根据探针台的探针移动坐标，并利用ID号的编制规则生成射频识别待测芯片的ID号数据，灌注到对应的射频识别待测芯片中，并根据射频识别待测芯片返回的信号判断ID号灌注是否成功；

步骤S4，ID号灌注成功后，按照射频识别待测芯片的加密固化要求将源加密数据进行格式转换，生成特定格式的加密数据发送至射频识别待测芯片；射频识别待测芯片接收到加密数据后对初始化数据和ID号进行加密固化并返回信号，通过解析返回信号判断加密固化是否成功；

步骤S5，加密固化成功后，向射频识别待测芯片发射射频信号，并分析判断射频识别待测芯片所返回射频信号的功能，验证步骤S1至S4对射频识别待测芯片的操作是否正确完成。

2.根据权利要求1所述的一种基于ATE的射频识别芯片的电特性测试方法，其特征在于，步骤S1具体包括以下步骤：

步骤S11，产生首次激励信号；

步骤S12，将产生的激励信号按照射频识别待测芯片所应用的通信协议格式进行装帧打包，生成激励格式信号，并发送至射频识别待测芯片；

步骤S13，对射频识别待测芯片的返回激励格式信号按照通信协议进行解析操作，并检出有效片段进行频率测试，测得数据的Frequency值；

步骤S14，根据Frequency值所在的区间产生新的激励信号，具体根据Frequency值的目标区间大小通过二分查找或线性查找法产生新的激励信号，返回步骤S12，直到Frequency值调整到目标区间内。

3.根据权利要求1所述的一种基于ATE的射频识别芯片的电特性测试方法，其特征在于，步骤S3具体包括以下步骤：

步骤S31，获取探针台当前在晶圆上的探针坐标信息，根据ID号的编制规则以探针坐标信息为输入，得到源格式ID号，其中，ID号的编制规则包括连续跳变、指数跳变、对数跳变和伪随机跳变；

步骤S32，将源格式ID号经过格式转换后，产生符合通信协议且符合ID号编制规则的ID号数据，并灌注到射频识别待测芯片中；

步骤S33，ID号灌注完成后，接收射频识别待测芯片返回的信号，当返回信号符合判据要求时对应的射频识别待测芯片的ID号灌注成功，执行步骤S34，否则返回步骤S31；

步骤S34，探针台的探针移动至下一只射频识别待测芯片，返回步骤S31，直到最后一只射频识别待测芯片灌注完成。