[发明专利]涂敷膜形成方法、涂敷膜形成装置和程序

说明书

本发明提供涂敷膜形成方法、涂敷膜形成装置和程序，提高基片面内的涂敷膜膜厚的控制性能。包括：涂敷工序，其对基片的正面的中心部供给涂敷液，使上述基片旋转以使上述涂敷液向该基片的周缘部扩展而形成涂敷膜；高温气体供给工序，其对旋转的该基片的背面的露出区域的一部分，供给温度比被供给了上述涂敷液的上述基片高的高温气体；膜厚分布调整工序，其使上述基片以第一转速旋转来调整上述基片的面内的上述涂敷膜的膜厚分布；和干燥工序，其在上述膜厚分布调整工序后，使该基片以与上述第一转速不同的第二转速旋转，来调整上述基片的整个面内的该涂敷膜的膜厚来使之干燥，其中，进行上述干燥工序的期间包含停止向上述基片供给上述高温气体的期间。

技术领域

本发明涉及涂敷膜形成方法、涂敷膜形成装置和程序。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，需要对半导体晶片(以下记作晶片)供给例如抗蚀剂等各种涂敷液，来形成涂敷膜。专利文献1中公开了一种抗蚀剂涂敷装置，其包括与基片背面的中心部重叠地固定基片的旋转台和设置在所固定的基片的下方的喷嘴，其中，从喷嘴向基片的不与旋转台重叠的整个周缘部吹送经过加热的高压气体。并且还记载了，利用上述高压气体的作用，防止供给到该基片的正面的抗蚀剂附着到该基片的背面的周缘部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-261579号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种在对基片供给涂敷液来形成涂敷膜时，提高基片面内的涂敷膜膜厚的控制性能的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的涂敷膜形成方法包括：涂敷工序，其对基片的正面的中心部供给涂敷液，使上述基片旋转以使上述涂敷液向该基片的周缘部扩展而形成涂敷膜；高温气体供给工序，其对旋转的该基片的背面的露出区域的一部分，供给温度比被供给了上述涂敷液的上述基片高的高温气体；膜厚分布调整工序，其使上述基片以第一转速旋转来调整上述基片的面内的上述涂敷膜的膜厚分布；和干燥工序，其在上述膜厚分布调整工序后，使该基片以与上述第一转速不同的第二转速旋转，来调整上述基片的整个面内的该涂敷膜的膜厚来使之干燥，其中，进行上述干燥工序的期间包含停止向上述基片供给上述高温气体的期间。

发明效果

本发明能够在对基片供给涂敷液来形成涂敷膜时，提高基片面内的涂敷膜膜厚的控制性能。

附图说明

图1是本发明的涂敷膜形成装置的俯视图。

图2是用于说明上述涂敷膜形成装置的效果的图表。

图3是上述涂敷膜形成装置中包含的处理部的纵截侧视图。

图4是表示从上述处理部中包含的气体喷嘴和清洗喷嘴释放高温气体和清洗液的释放状态的俯视图。

图5是上述气体喷嘴和清洗喷嘴的侧视图。

图6A是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图6B是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图6C是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图6D是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图7A是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图7B是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图7C是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。

图7D是表示上述涂敷膜形成装置中的处理的工序图。