[发明专利]CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202310002713.0 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116041794A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈炜;刘奕奕;齐伟;胡胜;卢铃;曹浩 | 申请（专利权）人： | 国网湖南省电力有限公司;国网湖南省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | C08L1/02 | 分类号： | C08L1/02;C08K3/14;C08K3/08;C08J5/18;H05K9/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 410004 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cnf mxene ga 电磁 屏蔽 复合 及其 制备 方法 | ||
1.一种CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将MXene分散于水中，加入金属Ga，先常温超声，然后在冰浴条件下超声，得到均匀的MXene@Ga的水分散液；
(2)将纤维素纳米纤维CNF加入到MXene@Ga的水分散液中混合均匀，进行真空辅助抽滤，然后加入沸点低于水的水溶性有机溶剂继续真空抽滤，以进行溶剂交换，重复多次，待抽干有机溶剂，取下膜进行干燥，得到CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜。
2.根据权利要求1所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述MXene与金属Ga的质量比为2～10∶1，所述MXene分散于水中的浓度为1mg/mL～3mg/mL。
3.根据权利要求1所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述常温超声的时间为3min～5min，所述常温超声与在冰浴条件下超声的总时间为10min～20min，每超声3s～5s停1s～3s。
4.根据权利要求1所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述MXene为Ti3C2。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，所述MXene与所述纤维素纳米纤维CNF的质量比为1～9∶1。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述混合均匀采用涡旋振荡方式，振荡时间为10min～20min。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述沸点低于水的水溶性有机溶剂为乙醇和丙酮中的一种。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述重复多次为重复3次以上，所述干燥为真空干燥，所述真空干燥的温度为40℃，所述真空干燥的时间为1h～24h。
9.一种如权利要求1～8中任一项所述的制备方法制得的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜。
10.根据权利要求9所述的CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜，其特征在于，所述CNF/MXene@Ga电磁屏蔽复合膜具有层层堆积的多层结构。
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