[实用新型]芯片剥离负压加热平台有效
申请号: | 202223600004.2 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN219180491U | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 张锡平;王俊;鲁国健 | 申请(专利权)人: | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人: | 王少卿 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 剥离 加热 平台 | ||
1.芯片剥离负压加热平台,其特征在于,包括:主控台、负压加热平台和真空吸取机构,所述主控台的顶部设有负压加热平台,所述加热平台的顶部设置真空吸取机构;
所述真空吸取机构包括:移动部、伸缩部和吸取部,所述移动部设置在主控台上且位于芯片剥离负压加热平台的上方,所述移动部上连接伸缩部,所述伸缩部的底部安装吸取部。
2.根据权利要求1所述的芯片剥离负压加热平台,其特征在于,所述移动部包括:支架、X轴丝杆模组和Y轴丝杆模组,所述支架竖直安装在主控台上,所述X轴丝杆模组架设在支架上,所述X轴丝杆模组设有两组,所述Y轴丝杆模组安装在X轴丝杆模组上,所述X轴丝杆模组驱动Y轴丝杆模组往复移动。
3.根据权利要求2所述的芯片剥离负压加热平台,其特征在于,所述Y轴丝杆模组上安装伸缩部且驱动伸缩部往复移动。
4.根据权利要求3所述的芯片剥离负压加热平台,其特征在于,所述伸缩部为气缸和安装座,所述气缸的输出端设置安装座,所述安装座上设置吸取部,所述气缸驱动吸取部上下移动。
5.根据权利要求4所述的芯片剥离负压加热平台,其特征在于,所述吸取部包括:真空吸笔和第一真空管道,所述真空吸笔连接安装座,所述第一真空管道与真空吸笔连通。
6.根据权利要求5所述的芯片剥离负压加热平台,其特征在于,所述负压加热平台包括:外壳、电加热组件、真空孔、定位凹槽和第二真空管道,所述电加热组件设置在外壳内,所述外壳固定在主控台顶部,所述外壳的顶部具有定位凹槽,所述定位凹槽内具有若干真空孔,所述真空孔与第二真空管道连通。
7.根据权利要求6所述的芯片剥离负压加热平台,其特征在于,所述真空孔的直径为1mm-2mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏芯德半导体科技有限公司,未经江苏芯德半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202223600004.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种户外的防水式全彩屏
- 下一篇:一种包装板与包装盒
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造