[实用新型]一种承载盘及电子束蒸发设备有效
| 申请号: | 202223547931.2 | 申请日: | 2022-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN219123202U | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/683;C23C14/30 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 承载 电子束 蒸发 设备 | ||
本申请公开了一种承载盘及电子束蒸发设备,用于承载芯片衬底,所述芯片衬底具有标记部,所述承载盘包括:承载盘本体,所述承载盘本体具有用于承载所述芯片衬底的承载区;用于固定所述芯片衬底的固定元件,所述固定元件与所述承载区共面;定位元件,所述定位元件与所述标记部相配合,以限定所述芯片衬底相对于所述承载盘的位置,本申请中,通过设置定位元件,定位元件能够与芯片衬底上的标记部相配合,从而限定芯片衬底与承载盘本体的相对位置,从而达到限定芯片衬底上的芯片衬底相对于所述承载盘的位置的目的,从而能够在制备不同批次的芯片时,能够快速准确地定位芯片衬底与承载盘的相对位置,避免不同批次的芯片衬底的摆放角度产生偏移。
技术领域
本申请属于芯片加工技术领域,特别是一种承载盘及电子束蒸发设备。
背景技术
电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation)是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同,电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材,使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀可以镀出高纯度高精度的薄膜。
现有技术中,可以利用电子束蒸发设备,采用蒸镀工艺在具有图形化的掩膜层的芯片衬底上制备电子元件,然而,在制备不同批次的芯片时,为了保证各批次芯片的一致性,各批次芯片在电子束蒸发设备内的摆放角度需保持一致,如何在制备不同批次的芯片时,避免各批次芯片的摆放角度产生偏移,是亟需解决的问题。
需要说明的是,公开于本申请背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本申请一般背景技术的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
实用新型内容
本申请的目的是提供一种承载盘及电子束蒸发设备,以解决现有技术中的不足,它提供了一种便于控制芯片衬底放置角度的承载盘。
本申请的一个实施例提供了一种承载盘,用于承载芯片衬底,所述芯片衬底具有标记部,所述承载盘包括:
承载盘本体,所述承载盘本体具有用于承载所述芯片衬底的承载区;
用于固定所述芯片衬底的固定元件,所述固定元件与所述承载区位于所述承载盘本体的同一表面;
定位元件,所述定位元件与所述标记部相配合,以限定所述芯片衬底相对于所述承载盘的位置。
如上所述的承载盘,其中,所述标记部为设置于所述芯片衬底边缘处的第一贴合面,所述定位元件具有若干第二贴合面,所述第一贴合面能够与任一第二贴合面贴合以限定所述芯片衬底相对于所述承载盘本体的位置。
如上所述的承载盘,其中,所述第一贴合面垂直于所述芯片衬底所在的平面,各所述第二贴合面均垂直于所述承载区所在的平面。
如上所述的承载盘,其中,在所述承载区所在的平面内,各所述第二贴合面的投影相对于所述承载盘本体的位置不同。
如上所述的承载盘,其中,所述承载盘本体的表面具有凹坑,所述承载区位于所述凹坑的底部,所述第二贴合面位于所述凹坑的侧壁。
如上所述的承载盘,其中,所述凹坑的边缘设置有便于取放所述芯片衬底的沟槽,所述沟槽与所述凹坑连通。
如上所述的承载盘,其中,所述定位元件包括活动杆和定位螺栓,所述活动杆通过定位螺栓安装于所述承载盘本体的表面,所述活动杆能够围绕所述定位螺栓的中轴线旋转定位。
如上所述的承载盘,其中,以所述活动杆的旋转中心为圆心,在所述承载盘本体的表面设置有角度刻度线。
本申请的另一实施例提供了一种电子束蒸发设备,包括:
蒸发腔;
蒸发源,所述蒸发源位于所述蒸发腔内部;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





