[实用新型]一种多芯片3D封装结构

说明书

本实用新型公开了一种多芯片3D封装结构，包括上层芯片、下层芯片以及基板，上层芯片和下层芯片之间设有第三布线层，其中上层芯片的一面依次通过第一布线层、铜柱与所述第三布线层连接，下层芯片的一面设置在基板上，下层芯片的另一面依次通过第二布线层、铜柱与所述第三布线层连接；所述基板中设置有第五布线层，所述第五布线层通过铜柱与所述第三布线层连接；所述第三布线层的两端连接有第四布线层，所述第四布线层靠近第三布线层的一端通过铜柱分别与所述第一布线层、第二布线层连接，所述第四布线层的另一端通过铜柱连接至所述第五布线层。本实用新型可以实现对不同芯片间信号的重新分配，提高了封装集成密度，同时降低多芯片之间信号的串扰。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种多芯片3D封装结构。

背景技术

三维(3D)堆叠的芯片封装结构可实现将多个芯片集成在一个狭小的封装体空间内，利用芯片之间在纵向上的垂直互联结构来缩短芯片间电信号连接的通道，因此这种封装结构具有多个优势，比如：更低的信号传输损耗、更低的功耗、更低的信号延迟、更小的封装尺寸，还可实现晶圆级三维封装和三维异构集成，是未来高端芯片封装技术领域的发展方向。

但三维堆叠的芯片封装结构为了增加芯片在三维方向上的堆叠密度，芯片之间采用垂直互联结构，因此芯片间的距离更短，将不同功能芯片连接到制作互连线路的硅片上时，会导致不同芯片间电信号的串扰。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中互连芯片电信号易串扰的问题，提供了一种多芯片3D封装结构。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

主要提供一种多芯片3D封装结构，所述封装结构包括上层芯片、下层芯片以及基板，所述上层芯片和下层芯片之间设有第三布线层，其中所述上层芯片的一面依次通过第一布线层、铜柱与所述第三布线层连接，所述下层芯片的一面设置在基板上，所述下层芯片的另一面依次通过第二布线层、铜柱与所述第三布线层连接；

所述基板中设置有第五布线层，所述第五布线层通过铜柱与所述第三布线层连接；所述第三布线层的两端连接有第四布线层，所述第四布线层靠近第三布线层的一端通过铜柱分别与所述第一布线层、第二布线层连接，所述第四布线层的另一端通过铜柱连接至所述第五布线层。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述上层芯片包括至少两个芯片，所述下层芯片包括至少两个芯片。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述上层芯片和下层芯片是不同功能的芯片。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述下层芯片的正面朝上，所述上层芯片的正面朝下。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述第三布线层和第四布线层一体成型。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述第一布线层包括通孔金属和金属走线。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述第二布线层包括通孔金属和金属走线。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述第三布线层包括通孔金属和金属走线。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述第四布线层包括通孔金属和金属走线。

作为一优选项，一种多芯片3D封装结构，所述第五布线层包括通孔金属和金属走线。

需要进一步说明的是，上述各选项对应的技术特征在不冲突的情况下可以相互组合或替换构成新的技术方案。

与现有技术相比，本实用新型有益效果是：