[实用新型]一种多芯片3D封装结构有效

专利信息
申请号: 202223546363.4 申请日: 2022-12-27
公开(公告)号: CN219163398U 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 马磊;张帅 申请(专利权)人: 成都复锦功率半导体技术发展有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L25/04
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 张巨箭
地址: 610212 四川省成都市中国(四川)*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述封装结构包括上层芯片(1)、下层芯片(2)以及基板(3),所述上层芯片(1)和下层芯片(2)之间设有第三布线层(4),其中所述上层芯片(1)的一面依次通过第一布线层(5)、铜柱(6)与所述第三布线层(4)连接,所述下层芯片(2)的一面设置在基板(3)上,所述下层芯片(2)的另一面依次通过第二布线层(7)、铜柱(6)与所述第三布线层(4)连接;

所述基板(3)中设置有第五布线层(8),所述第五布线层(8)通过铜柱(6)与所述第三布线层(4)连接;所述第三布线层(4)的两端连接有第四布线层(9),所述第四布线层(9)靠近第三布线层(4)的一端通过铜柱(6)分别与所述第一布线层(5)、第二布线层(7)连接,所述第四布线层(9)的另一端通过铜柱(6)连接至所述第五布线层(8)。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述上层芯片(1)包括至少两个芯片,所述下层芯片(2)包括至少两个芯片。

3.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述上层芯片(1)和下层芯片(2)是不同功能的芯片。

4.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述下层芯片(2)的正面朝上,所述上层芯片(1)的正面朝下。

5.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述第三布线层(4)和第四布线层(9)一体成型。

6.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述第一布线层(5)包括通孔金属和金属走线。

7.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述第二布线层(7)包括通孔金属和金属走线。

8.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述第三布线层(4)包括通孔金属和金属走线。

9.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述第四布线层(9)包括通孔金属和金属走线。

10.根据权利要求1所述的一种多芯片3D封装结构,其特征在于,所述第五布线层(8)包括通孔金属和金属走线。

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