[实用新型]一种晶体管阵列陶瓷封装结构

权利要求书

1.一种晶体管阵列陶瓷封装结构，其特征在于，包括陶瓷封装底座本体及多个引脚，在陶瓷封装底座本体的上端设有陶瓷封装框体，在陶瓷封装框体内设有多个芯片焊接区和多个引线键合区，芯片焊接区和引线键合区低于陶瓷封装框体的框体边框，芯片焊接区低于引线键合区，芯片焊接区为下沉式多层错落结构，芯片焊接区和引线键合区的表面为金属化层，在陶瓷封装结构中间层采用过孔及埋层工艺形成金属化电路连接，使每个引脚与相应的芯片焊接区或引线键合区的金属化层连接。

2.如权利要求1所述的一种晶体管阵列陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷封装结构包括第一晶体管发射级或源极引线键合区，第一晶体管基级或栅极引线键合区，第一晶体管芯片焊接区，第二晶体管发射级或源极引线键合区，第二晶体管基级或栅极引线键合区，第二晶体管芯片焊接区，陶瓷封装底座本体，框体边框，底面引脚；

所述框体边框高于引线键合区及芯片焊接区；

所述芯片焊接区低于引线键合区，呈下沉式多层错落结构；

所述芯片焊接区、引线键合区与底面引脚之间的电气连接，采用过孔及埋层工艺在中间层与过孔间形成金属连接；

所述框体边框采用金属化。

3.如权利要求1或2所述的一种晶体管阵列陶瓷封装结构，其特征在于，所述表面金属化层的最外层为镀金层。

4.如权利要求1或2所述的一种晶体管阵列陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷为95％以上AlN陶瓷。

5.如权利要求1或2所述的一种晶体管阵列陶瓷封装结构，其特征在于，所述过孔及埋层工艺中的金属为钨。

6.如权利要求2所述的一种晶体管阵列陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷封装结构的管脚间距及外形尺寸与塑封SOT23-6的尺寸一致,包含6只引脚，芯片焊接区尺寸为0.9mm×0.8mm。