[实用新型]QFN封装结构和射频收发模组结构有效

专利信息
申请号: 202223330170.5 申请日: 2022-12-09
公开(公告)号: CN219322393U 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 谢浩 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张宁;臧建明
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: qfn 封装 结构 射频 收发 模组
【说明书】:

本实用新型提供一种QFN封装结构和射频收发模组结构,QFN封装结构的QFN封装引脚的射频发射地引脚和QFN封装引脚的射频接收引脚分别设置在QFN封装引脚的射频发射引脚两旁,QFN封装引脚的射频接收引脚与QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。射频发射引脚的谐波更容易传导到射频发射地引脚和射频接收地引脚,减少了谐波对外的辐射能量。通过在射频发射引脚的上下侧用射频接收地引脚和射频发射地引脚进行包围,当芯片发射功率时,可以使得能量中的谐波在QFN封装结构内部通过射频接收地引脚或射频发射地引脚形成的闭合的回路传导,减少对外的辐射,避免造成FCC超标。

本申请要求于2022年09月06日提交中国专利局、申请号为PCT/CN2022/117396、申请名称为“一种QFN封装结构、射频收发模组结构及电子设备”的PCT国际申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本实用新型涉及封装及模组走线设计技术领域,尤其涉及一种QFN封装结构和射频收发模组结构。

背景技术

目前很多芯片在大发射功率的条件下容易产生辐射超标的问题。一般来说,当芯片支持15dBm的发射功率时,可能超出FCC(Federal Communications Commission,国联邦通信委员会)规定的对谐波辐射的限制20dB以上。目前市面上产品为了解决该问题,一般通过额外增加滤波器件,或增加芯片屏蔽罩,但这些方案都会大幅度增加成本或者使得芯片体积增加,因此,如何更低成本地解决辐射超标成为亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种QFN封装结构和射频收发模组结构,用于解决辐射超标的技术问题。

第一方面,本实用新型提供一种QFN封装结构,包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚,所述EPAD焊接区设置于所述基板的表面,所述芯片设置于所述EPAD焊接区的表面;

所述QFN封装引脚围绕所述EPAD焊接区并且设置于所述基板的表面;所述QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接;所述QFN封装引脚与所述芯片连接;

所述QFN封装引脚包括QFN封装引脚的射频发射引脚、QFN封装引脚的射频接收引脚、QFN封装引脚的射频发射地引脚以及和QFN封装引脚的射频接收地引脚;

所述QFN封装引脚的射频发射引脚分别与所述QFN封装引脚的射频发射地引脚以及所述QFN封装引脚的射频接收引脚相邻;所述QFN封装引脚的射频接收引脚还与所述QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。

在一种可能的设计中,所述EPAD焊接区均匀设有多组通向内层地或底层地的过孔,所述内层地为设置于多层板的中间层的地,所述底层地为设置于双层板的底层的地,所述基板包括所述多层板或所述双层板;所述过孔从所述基板的顶层通向所述基板的底层。

第二方面,本实用新型提供一种QFN封装结构,包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚,所述EPAD焊接区设置于所述基板的表面,所述芯片设置于所述EPAD焊接区的表面;

所述QFN封装引脚围绕所述EPAD焊接区并且设置于所述基板的表面;所述QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接;所述QFN封装引脚与所述芯片连接;

所述QFN封装引脚包括QFN封装引脚的射频收发引脚、QFN封装引脚的射频发射地引脚以及QFN封装引脚的射频接收地引脚;

所述QFN封装引脚的射频收发引脚分别与所述QFN封装引脚的射频发射地引脚和所述QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。在一种可能的设计中,所述EPAD焊接区均匀设有多组通向内层地或底层地的过孔,所述内层地为设置于多层板的中间层的地,所述底层地为设置于双层板的底层的地,所述基板包括所述多层板或所述双层板;所述过孔从所述基板的顶层通向所述基板的底层。

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