[实用新型]QFN封装结构和射频收发模组结构

权利要求书

1.一种QFN封装结构，其特征在于，包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚，所述EPAD焊接区设置于所述基板的表面，所述芯片设置于所述EPAD焊接区的表面；

所述QFN封装引脚围绕所述EPAD焊接区并且设置于所述基板的表面；所述QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接；所述QFN封装引脚与所述芯片连接；

所述QFN封装引脚包括QFN封装引脚的射频发射引脚、QFN封装引脚的射频接收引脚、QFN封装引脚的射频发射地引脚以及QFN封装引脚的射频接收地引脚；

所述QFN封装引脚的射频发射引脚分别与所述QFN封装引脚的射频发射地引脚以及所述QFN封装引脚的射频接收引脚相邻；所述QFN封装引脚的射频接收引脚还与所述QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。

2.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述EPAD焊接区均匀设有多组通向内层地或底层地的过孔，所述内层地为设置于多层板的中间层的地，所述底层地为设置于双层板的底层的地，所述基板包括所述多层板或所述双层板；所述过孔从所述基板的顶层通向所述基板的底层。

3.一种QFN封装结构，其特征在于，包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚，所述EPAD焊接区设置于所述基板的表面，所述芯片设置于所述EPAD焊接区的表面；

所述QFN封装引脚围绕所述EPAD焊接区并且设置于所述基板的表面；所述QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接；所述QFN封装引脚与所述芯片连接；

所述QFN封装引脚包括QFN封装引脚的射频收发引脚、QFN封装引脚的射频发射地引脚以及QFN封装引脚的射频接收地引脚；

所述QFN封装引脚的射频收发引脚分别与所述QFN封装引脚的射频发射地引脚和所述QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。

4.根据权利要求3所述的QFN封装结构，其特征在于，所述EPAD焊接区均匀设有多组通向内层地或底层地的过孔，所述内层地为设置于多层板的中间层的地，所述底层地为设置于双层板的底层的地，所述基板包括所述多层板或所述双层板；所述过孔从所述基板的顶层通向所述基板的底层。

5.一种射频收发模组结构，其特征在于，包括：匹配网络电路、第一电感以及权利要求1或2所述的QFN封装结构，天线与所述匹配网络电路的第一端连接；所述第一电感的第一端与所述匹配网络电路的第二端连接，所述第一电感的第二端与所述QFN封装结构的QFN封装引脚的射频接收引脚连接；

其中，所述的QFN封装结构的QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接，包括：所述QFN封装引脚的射频发射引脚与所述匹配网络电路的第二端连接。

6.根据权利要求5所述的射频收发模组结构，其特征在于，所述匹配网络电路包括第一电容、第二电容、第三电容以及第二电感；

所述天线与所述匹配网络电路的第一端连接，包括：所述天线与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第一端为所述匹配网络电路的第一端；

所述第一电容的第二端分别连接所述第二电容的第一端与所述第二电感的第一端；所述第二电容的第二端接地；

所述QFN封装引脚的射频发射引脚与所述匹配网络电路的第二端连接，包括：所述QFN封装引脚的射频发射引脚分别连接所述第二电感的第二端以及所述第三电容的第一端；

所述第一电感的第一端与所述匹配网络电路的第二端连接，包括：所述第一电感的第一端分别连接所述第二电感的第二端以及所述第三电容的第一端；

所述第二电感的第二端以及所述第三电容的第一端为所述匹配网络电路的第二端；所述第三电容的第二端接地。