[实用新型]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

背侧重布线结构，所述背侧重布线结构包括：

第一介电层；

第二介电层，位于所述第一介电层上；

第一金属化图案，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，其中所述第二介电层延伸穿过所述第一金属化图案以形成介电槽；以及

第二金属化图案，其中所述第二介电层位于所述第一金属化图案与所述第二金属化图案之间；

前侧重布线结构；

包封体，位于所述背侧重布线结构与所述前侧重布线结构之间；以及

穿孔，延伸穿过所述包封体，所述穿孔与所述第二金属化图案实体耦合，其中所述介电槽在俯视图中与所述穿孔重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述介电槽位于所述第一金属化图案的虚设图案中。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述介电槽在俯视图中具有第一表面积，所述虚设图案中的矩形介电区在俯视图中具有第二表面积，且所述第一表面积大于第二表面积。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述介电槽在俯视图中具有圆形形状。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述穿孔包括延伸至所述背侧重布线结构中的导通孔，所述介电槽在所述俯视图中与所述导通孔重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述背侧重布线结构还包括第三金属化图案，其中所述第一介电层位于所述第三金属化图案与所述第一金属化图案之间，其中所述第三金属化图案的导电材料在所述俯视图中与所述介电槽重叠。

7.一种半导体封装，其特征在于，包括：

前侧重布线结构；

背侧重布线结构，所述背侧重布线结构包括：

第一介电层；

第一金属化图案，位于所述第一介电层上；

粘合层，位于所述第一金属化图案上，其中所述第一金属化图案位于所述粘合层与所述第一介电层之间，其中所述粘合层的一部分在俯视图中与穿孔重叠；

第二介电层，位于所述粘合层上，其中所述粘合层位于所述第二介电层与所述第一金属化图案之间；以及

第二金属化图案，位于所述第二介电层上，其中所述第二介电层位于所述第二金属化图案与所述粘合层之间；

集成电路管芯，电性耦合至所述前侧重布线结构，所述集成电路管芯位于所述前侧重布线结构与所述背侧重布线结构之间；

包封体，围绕所述集成电路管芯延伸；以及

所述穿孔，延伸穿过所述包封体，所述穿孔将所述前侧重布线结构电性耦合至所述背侧重布线结构。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述第二金属化图案的导通孔延伸穿过所述粘合层以实体接触所述第一金属化图案。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述第一介电层具有第一厚度，所述第二介电层具有第二厚度，且所述第一厚度对所述第二厚度的比率为1或大于1。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于，所述背侧重布线结构还包括穿过所述第一金属化图案的介电槽，所述介电槽在所述俯视图中与所述穿孔重叠。