[实用新型]高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构及晶体管

权利要求书

1.一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：

所述元胞结构包括N型衬底(1)及设于N型衬底(1)上方的多次外延结构(2)；所述多次外延结构(2)包括设于N型衬底(1)上方的N型外延层(21)和设置在所述N型外延层(21)内的P型基区(22)；所述P型基区(22)下方设有多次外延P型柱(23)，所述多次外延P型柱(23)具有位于上段的上外延P型柱(232)以及位于下段的下外延P型柱(231)，所述上外延P型柱(232)浮游于所述下外延P型柱(231)的上方，两者间填充N型外延层(21)，所述上外延P型柱(232)向上延伸入所述P型基区(22)中，从下到上延伸设置的多次外延P型柱(23)的总层数为n层，其中n3，所述下外延P型柱(231)的层数为x层，其中nx，其中第y层至第n层为所述上外延P型柱(232)，其中n=y，y满足公式y=n-x；所述上外延P型柱(232)与所述下外延P型柱(231)之间存在有间隔尺寸D，间隔尺寸D与所述多次外延P型柱(23)中各层的厚度比为7~13：10；所述P型基区(22)的顶部设置有并列的N型源区(24)和P型源区(25)。

2.根据权利要求1所述的一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：所述多次外延P型柱(23)的总层数为6层，所述下外延P型柱(231)的层数为5层，所述上外延P型柱(232)位于第六层。

3.根据权利要求1所述的一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：所述N型源区(24)的底部深度超出所述P型源区(25)的底部深度。

4.根据权利要求3所述的一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：所述P型源区(25)与所述N型源区(24)的深度比为5~6：10。

5.根据权利要求1所述的一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：所述N型源区(24)与所述P型基区(22)的深度比为2~4：10。

6.根据权利要求1所述的一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：所述N型衬底(1)与所述N型外延层(21)的深度比为1~3：10。

7.根据权利要求1所述的一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构，其特征在于：所述多次外延结构(2)与所述N型外延层(21)的深度比为7~9：10。

8.一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管，其特征在于：所述超结MOS场效应晶体管使用权利要求1至权利要求7任一项所述的元胞结构。