[实用新型]一种可吸附翘曲的晶圆平整装置有效
申请号: | 202223082669.9 | 申请日: | 2022-11-21 |
公开(公告)号: | CN218677100U | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 黄欣;郑隆结;孙会民 | 申请(专利权)人: | 厦门柯尔自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 361103 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 平整 装置 | ||
公开了一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,包括晶圆载台和负压组件,晶圆载台的吸附面上的第一吸附孔和第二吸附孔分别与负压组件中的两个气流通道连通,吸附面上的沟槽呈若干个圆环状沟槽圈排布,多个第一吸附孔和多个第二吸附孔分别沿与晶圆载台同心的圆周等间距排布,第一吸附孔和第二吸附孔分别与沟槽形成第一吸附区域和第二吸附区域,导流板外接的大流量电磁阀动作时,通过气流通道到达吸附孔对晶圆载台上固定的晶圆进行真空吸附,从而消除晶圆产品的翘曲。本申请的晶圆平整装置能够有效覆盖产品翘曲形变,利用真空吸附的方式增加了晶圆表面的平整度,不受其他外力影响,且能够适应不同寸别晶圆的翘曲消除需求,能够广泛适用于晶圆加工的场景。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,具体是一种可吸附翘曲的晶圆平整装置。
背景技术
晶圆产品有不同的大小和寸别,且晶圆产品本身较薄,容易出现一定的形变,晶圆产品交接给载台时,晶圆产品的形变翘起部位脱离载台,使得载台真空无法建立,设备无法运转,从而影响了工作效率,且晶圆的上表面为产品面,不可接触,如果使用压覆的方式消除产品的翘起可能造成晶圆产品的损伤,因此设计一块能够有效消除晶圆翘曲形变,使得晶圆产品能够精密吸附于载台平面上,从而使得晶圆检测工作更加精密、流畅的晶圆平整装置成为亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型提出了一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,以解决上述背景技术中提出的问题,为实现上述目的,本实用新型提供如下方案:
根据本实用新型实施例的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,包括晶圆载台和负压组件,晶圆载台固定设置在负压组件上,晶圆载台包括吸附面,吸附面上分布有多个沟槽、多个第一吸附孔和多个第二吸附孔,多个第一吸附孔和沟槽形成第一吸附区域,多个第二吸附孔和部分沟槽形成第二吸附区域,负压组件包括第一气流通道和第二气流通道,第一气流通道与多个第一吸附孔连通,第二气流通道与多个第二吸附孔连通,晶圆载台与负压组件之间密封配合。
将晶圆固定在晶圆载台上,进行晶圆翘曲的吸附工作,第一气流通道和第二气流通道之间互不连通,外接气源供给第一气流通道和第二气流通道,通过与第一气流通道连通的第一吸附孔和与第二气流通道连通的第二吸附孔对晶圆的形变翘曲进行真空负压吸附,沟槽的设置增大了吸附面对晶圆表面的吸附面积,提高了晶圆和晶圆载台之间的气密性,具有紧密贴合和牢靠耐久的效果,密封配合使得晶圆载台和负压组件之间的气密性更好,保证真空负压吸附晶圆翘曲工作的顺利进行,设置有两个气流通道和对应的吸附孔,第一吸附孔和第二吸附孔分别与沟槽组成第一吸附区域和第二吸附区域,第一吸附区域和第二吸附区域分别适应不同寸别晶圆吸附翘曲的需求,具体是,对于尺寸比较小的晶圆,利用第二吸附区域的第二吸附孔、沟槽和第二气流通道对晶圆的翘曲进行吸附,对于尺寸较大的晶圆,可同时对第一气流通道和第二气流通道进行供气,此时第一吸附区域和第二吸附区域同时对晶圆产生吸附力,共同完成晶圆翘曲的吸附。
在具体的实施例中,负压组件还包括两个导流板,两个导流板分别与第一气流通道和第二气流通道相连接。
导流板具有导向引流的效果,使得负压组件中的压力慢慢趋向于均衡,从而使得晶圆翘曲的吸附工作能够稳定地进行,避免因为突然施加真空负压导致气流通道中的压力不均衡,进一步使得与气流通道连通的吸附孔对晶圆产生的吸附力不均衡,影响晶圆产品平面度。
在具体的实施例中,多个沟槽呈若干个圆环状沟槽圈排布,若干个沟槽圈的圆心与晶圆载台的圆心重叠,并沿着晶圆载台的直径方向由内向外排布。
沟槽的排布方式使得在进行晶圆翘曲真空吸附的工作时,晶圆所收到的来自晶圆载台吸附面的吸附力更均匀,真空吸附效果更好。
在进一步的实施例中,若干个沟槽圈分别包括多个等间距分隔的沟槽。
多个沟槽之间等间距分隔,组成非封闭的沟槽圈,进一步使得吸附面表面的吸附力更加均衡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造