[实用新型]一种可吸附翘曲的晶圆平整装置有效
申请号: | 202223082669.9 | 申请日: | 2022-11-21 |
公开(公告)号: | CN218677100U | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 黄欣;郑隆结;孙会民 | 申请(专利权)人: | 厦门柯尔自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 361103 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 平整 装置 | ||
1.一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,包括晶圆载台和负压组件,所述晶圆载台固定设置在所述负压组件上,所述晶圆载台包括吸附面,所述吸附面上分布有多个沟槽、多个第一吸附孔和多个第二吸附孔,所述多个第一吸附孔和所述沟槽形成第一吸附区域,所述多个第二吸附孔和部分所述沟槽形成第二吸附区域,所述负压组件包括第一气流通道和第二气流通道,所述第一气流通道与多个所述第一吸附孔连通,所述第二气流通道与多个所述第二吸附孔连通,所述晶圆载台与所述负压组件之间密封配合。
2.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述负压组件还包括两个导流板,两个所述导流板分别与所述第一气流通道和所述第二气流通道相连接。
3.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,多个所述沟槽呈若干个圆环状沟槽圈排布,若干个所述沟槽圈的圆心与所述晶圆载台的圆心重叠,并沿着所述晶圆载台的直径方向由内向外排布。
4.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,多个所述第一吸附孔组成一个与晶圆载台圆心重叠的第一吸附孔圈,多个所述第二吸附孔组成一个与晶圆载台圆心重叠的第二吸附孔圈。
5.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,多个所述第一吸附孔等间距均匀分布,多个所述第二吸附孔等间距均匀分布。
6.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述吸附面上还分布有上下贯通的穿孔。
7.根据权利要求2所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述晶圆载台与所述第一气流通道和所述第二气流通道之间设置有密封条,两个所述导流板与所述第一气流通道和所述第二气流通道之间设置有密封圈。
8.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述晶圆载台上设置有固定孔,所述晶圆载台与所述负压组件通过固定孔连接。
9.根据权利要求2所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,两个所述导流板分别与大流量电磁阀连接。
10.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述第一吸附孔的数量为10个,所述第二吸附孔的数量为6个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造