[实用新型]测试基座有效

专利信息
申请号: 202222999580.2 申请日: 2022-11-08
公开(公告)号: CN218956690U 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 张书维 申请(专利权)人: 稜研科技股份有限公司
主分类号: G01R29/10 分类号: G01R29/10
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黎艳
地址: 中国台湾台北市大安区敦化*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 测试 基座
【权利要求书】:

1.一种测试基座,其特征在于,包括:

壳体,具有内表面;

承载件,设置于所述壳体上,所述承载件包括上表面、下表面及凹陷于所述上表面的凹槽,所述凹槽适于容置待测组件,其中所述下表面与所述壳体的所述内表面共同定义腔体;

波吸收件,设置于所述壳体的所述内表面;以及

填充体,填充于所述腔体,接触所述波吸收件与所述承载件,其中所述填充体的相对介电常数小于等于2。

2.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述承载件对应在所述凹槽处的厚度小于5毫米。

3.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述承载件包括贯孔,所述贯孔位于所述凹槽并自所述承载件的所述上表面连通至所述承载件的所述下表面。

4.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述波吸收件还设置于所述承载件的所述下表面在对应于所述凹槽以外的部位。

5.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述下表面为平面。

6.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述下表面为弧面。

7.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述凹槽的直径或长度为D公分,所述测试基座适于测试的所述待测组件的辐射信号的波长大于等于λ公分,所述腔体的深度大于等于2D2/λ公分。

8.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述填充体的等效相对介电常数介于1.2至1.6之间。

9.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述填充体包括多个填料层,所述多个填料层具有不同的多个相对介电常数,所述多个填料层的所述多个相对介电常数沿着越远离所述承载件的方向越大。

10.根据权利要求1所述的测试基座,其特征在于,所述填充体的发泡度介于50%至80%之间。

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