[实用新型]ITO导电膜

说明书

本实用新型公开了一种ITO导电膜，该导电膜包括：基材层、第一加硬层、第二加硬层、光学匹配层、ITO层和防氧化层。其中，第一加硬层涂布在所述基材层的一表面。第二加硬层涂布在所述基材层的另一表面。光学匹配层涂布在所述第二加硬层上。ITO层涂布在所述光学匹配层上。防氧化层涂布在所述ITO层上，所述防氧化层用于减少所述ITO层的自结晶。本实用新型的ITO导电膜，其在ITO层表面涂布防氧化层能够减少ITO层自结晶的现象出现。

技术领域

本实用新型是关于一种导电膜，特别是关于一种ITO导电膜。

背景技术

ITO薄膜(氧化铟锡化合物，英文全称IndiumTinOxide)是一种用途广泛的透明导电膜，ITO材料是一种n型半导体材料，由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性等优点，已成熟的运用于液晶显示器件、太阳能电池等领域。目前使用磁控溅射法利用惰性气体轰击靶材生产薄膜得到的成品结束后存在自结晶现象，尤其低方阻自结晶现象明显。自结晶是指在常温下未经过退火工艺，ITO薄膜发生缩水结晶，其内部晶格并非完全饱和态，在进行退火工艺后ITO薄膜晶格大小不一导致方阻均匀性差，后端制成SENSOR窄线路后，因方阻均匀性差，导致容抗异常，对产品功能造成影响。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种ITO导电膜，其能够减少ITO导电膜自结晶的现象出现。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种ITO导电膜，该导电膜包括：基材层、第一加硬层、第二加硬层、光学匹配层、ITO层和防氧化层。其中，第一加硬层涂布在所述基材层的一表面。第二加硬层涂布在所述基材层的另一表面。光学匹配层涂布在所述第二加硬层上。ITO层涂布在所述光学匹配层上。防氧化层涂布在所述ITO层上，所述防氧化层用于减少所述ITO层的自结晶。

在一个或多个实施方式中，所述防氧化层为丙烯酸树脂层；和/或，所述防氧化层的厚度位于20nm-30nm之间。

在一个或多个实施方式中，所述光学匹配层为二氧化硅层；和/或，所述二氧化硅层的厚度位于10nm-30nm之间。

在一个或多个实施方式中，所述ITO层的厚度位于18nm-50nm之间。

在一个或多个实施方式中，所述ITO层的透光率位于89％-91％之间；和/或，所述ITO层的折射率位于1.8-2.0之间

在一个或多个实施方式中，所述第一加硬层为丙烯酸树脂层，所述第一加硬层的厚度位于800nm-1000nm之间。

在一个或多个实施方式中，所述第一加硬层的材料包括纳米粒子，所述纳米粒子选自氧化硅、氧化硅、氧化铝、硅酸镁、硅酸铝、碳酸钙、碳酸镁中的一种。

在一个或多个实施方式中，所述第二加硬层为丙烯酸树脂层，所述第二加硬层的厚度位于700nm-900nm之间。

在一个或多个实施方式中，所述基材层选自PET层、COP层、PI层中的一种。

在一个或多个实施方式中，其特征在于，所述基材层的厚度为23um、50um、100um、125um、250um其中一种。

与现有技术相比，根据本实用新型的一种ITO导电膜，其在ITO层表面涂布防氧化层能够减少ITO层自结晶的现象出现。减少退火后因自结晶导致ITO晶格异常,导致后端容抗异常。增加ITO导电膜的存放期限。

附图说明

图1是根据本实用新型一实施方式的ITO导电膜的示意图。

主要附图标记说明：