[实用新型]ITO导电膜有效
| 申请号： | 202222821078.2 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN218918464U | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 袁明;宋尚金;王何杰 | 申请（专利权）人： | 江苏日久光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 潘时伟 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 导电 | ||
1.一种ITO导电膜，其特征在于，包括：
基材层；
第一加硬层，涂布在所述基材层的一表面；
第二加硬层，涂布在所述基材层的另一表面；
光学匹配层，涂布在所述第二加硬层上；
ITO层，涂布在所述光学匹配层上；和
防氧化层，涂布在所述ITO层上，所述防氧化层用于减少所述ITO层的自结晶。
2.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述防氧化层为丙烯酸树脂层；和/或，所述防氧化层的厚度位于20nm-30nm之间。
3.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述光学匹配层为二氧化硅层；和/或，所述二氧化硅层的厚度位于10nm-30nm之间。
4.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述ITO层的厚度位于18nm-50nm之间。
5.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述ITO层的透光率位于89％-91％之间；和/或，所述ITO层的折射率位于1.8-2.0之间。
6.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第一加硬层为丙烯酸树脂层，所述第一加硬层的厚度位于800nm-1000nm之间。
7.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第一加硬层的材料包括纳米粒子，所述纳米粒子选自氧化硅、氧化硅、氧化铝、硅酸镁、硅酸铝、碳酸钙、碳酸镁中的一种。
8.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述第二加硬层为丙烯酸树脂层，所述第二加硬层的厚度位于700nm-900nm之间。
9.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述基材层选自PET层、COP层、PI层中的一种。
10.如权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述基材层的厚度为23um、50um、100um、125um、250um其中一种。
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