[实用新型]压电陶瓷夹持工装、极化装置及漏电流检测装置有效
| 申请号: | 202222741304.6 | 申请日: | 2022-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN218182189U | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | 连子龙;许良;胡志诚;朱国旗 | 申请(专利权)人: | 苏州隐冠半导体技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 215211 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 压电 陶瓷 夹持 工装 极化 装置 漏电 检测 | ||
1.一种压电陶瓷夹持工装,其特征在于,所述压电陶瓷夹持工装包括自下而上依次设置的第一载板(10)、第一连接层(20)、样品定位层(30)、弹簧顶针(40)及第二载板(50),其中所述第一载板(10)、所述样品定位层(30)及所述第二载板(50)为绝缘设置,所述第一连接层(20)及所述弹簧顶针(40)为导电设置;
所述第一载板(10)及所述第二载板(50)通过绝缘螺栓(70)固定连接,且所述第一载板(10)及所述第二载板(50)之间设置有预设距离,用于为压电陶瓷样品(80)的放取提供操作空间;
所述样品定位层(30)上设置有若干个贯穿槽(31),所述贯穿槽(31)的尺寸与所述压电陶瓷样品(80)的尺寸相匹配,用于批量放置所述压电陶瓷样品(80),所述压电陶瓷样品(80)通过所述贯穿槽(31)与所述第一连接层(20)直接接触;
所述第二载板(50)上设置有与所述贯穿槽(31)数量相同的贯穿孔,且所述贯穿孔的中心位置与所述贯穿槽(31)的中心位置一一对应;
所述弹簧顶针(40)通过所述贯穿孔固定于所述第二载板(50),所述弹簧顶针(40)可活动收缩的一端与所述压电陶瓷样品(80)接触,所述弹簧顶针(40)远离所述压电陶瓷样品(80)的另一端及所述第一连接层(20)分别电连接至外部设置的电源装置的正负极。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷夹持工装,其特征在于:所述样品定位层(30)上的所述贯穿槽(31)呈规则矩阵排列。
3.根据权利要求1所述的压电陶瓷夹持工装,其特征在于:所述绝缘螺栓(70)的数量为4,分别位于所述第一载板(10)及所述第二载板(50)对应的四周。
4.根据权利要求1所述的压电陶瓷夹持工装,其特征在于:所述第一载板(10)上设置有凹槽,所述第一连接层(20)固定于所述凹槽内。
5.根据权利要求1所述的压电陶瓷夹持工装,其特征在于:所述压电陶瓷夹持工装还包括支撑脚(90),固定连接于所述第一载板(10)下方,用于支撑整个所述压电陶瓷夹持工装的重量。
6.一种压电陶瓷极化装置,其特征在于,所述压电压电陶瓷极化装置包括加热装置、供压装置及
如权利要求1~5中任意一项所述的压电陶瓷夹持工装,其中,所述弹簧顶针(40)的上方还设置有板状的金属连接层(61),所述金属连接层(61)及所述第一连接层(20)分别电连接至所述供压装置的正负极;
所述压电陶瓷夹持工装设置于所述加热装置内,所述加热装置用于为所述压电陶瓷样品(80)的极化提供所需的温度;
所述供压装置用于为所述压电陶瓷样品(80)的极化提供所需的直流电压。
7.根据权利要求6所述的压电陶瓷极化装置,其特征在于:所述第一连接层(20)与所述金属连接层(61)均为铜层。
8.根据权利要求6所述的压电陶瓷极化装置,其特征在于:所述第一连接层(20)与所述金属连接层(61)分别通过导线与所述供压装置的正负极相连接。
9.一种压电陶瓷漏电流检测装置,其特征在于,所述压电陶瓷漏电流检测装置包括数据采集装置、电阻、电源装置及
如权利要求1~5中任意一项所述的压电陶瓷夹持工装;
每一个所述弹簧顶针(40)远离所述压电陶瓷样品(80)的一端分别通过一根连接线(62)连接至所述数据采集装置以形成一个检测回路,且每个所述检测回路串联一个所述电阻;
所述电源装置用于为所述压电陶瓷样品(80)的漏电流检测提供所需的直流电压。
10.根据权利要求9所述的压电陶瓷漏电流检测装置,其特征在于:所述第一连接层(20)及所述数据采集装置通过导线分别与所述电源装置的正负极相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





