[实用新型]电磁屏蔽封装结构及电子组件有效
申请号: | 202222678487.1 | 申请日: | 2022-10-11 |
公开(公告)号: | CN218525544U | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 廖志豪;吴书翰;黄馨叶 | 申请(专利权)人: | 纮华电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
地址: | 201801 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 封装 结构 电子 组件 | ||
本实用新型公开一种电磁屏蔽封装结构及电子组件。所述电磁屏蔽封装结构包含一载板、安装于所述载板的至少一个芯片、形成于所述载板且埋置至少一个所述芯片的一封装体、形成于所述封装体外表面的一电磁屏蔽层及一绝缘层。所述电磁屏蔽层的底缘切齐于所述载板的底面。所述绝缘层包含有一喷涂覆盖部及一毛细渗透部。所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的至少部分外表面。所述毛细渗透部自所述喷涂覆盖部的底端通过毛细现象朝所述载板的所述底面延伸所形成,并且所述毛细渗透部覆盖所述电磁屏蔽层的所述底缘。据此,所述电磁屏蔽封装结构能以所述毛细渗透部来覆盖所述电磁屏蔽层的底缘,进而避免所述电磁屏蔽层与其他构件产生短路。
技术领域
本实用新型涉及一种封装结构,尤其涉及一种电磁屏蔽封装结构及电子组件。
背景技术
现有封装结构于倒装芯片(flip chip)焊接至一电路板时,由于现有封装结构的导电部与电磁屏蔽层之间的距离过于相近,因而容易因为焊料而导致上述导电部与电磁屏蔽层连通而产生短路。于是,本实用新型人认为上述缺陷可改善,乃特潜心研究并配合科学原理的运用,终于提出一种合理且有效改善上述缺陷的本实用新型。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种电磁屏蔽封装结构及电子组件,能有效地改善现有封装结构所可能产生的缺陷。
本实用新型实施例公开一种电子组件,其包括:一电磁屏蔽封装结构,包含:一载板,包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧缘;其中,第二板面配置有多个导电部;至少一个芯片,安装于载板的第一板面上,并且至少一个芯片电性耦接于至少一个导电部;一封装体,形成于载板的第一板面且埋置至少一个芯片;一电磁屏蔽层,形成于载板的环侧缘及封装体的外表面,并且电磁屏蔽层的底缘切齐于载板的第二板面;及一绝缘层,包含有:一喷涂覆盖部,形成于电磁屏蔽层的至少部分外表面;及一毛细渗透部,自喷涂覆盖部的底端通过毛细现象朝第二板面延伸所形成,并且毛细渗透部覆盖电磁屏蔽层的底缘;一电路板,形成有多个连接垫;其中,电磁屏蔽封装结构的多个导电部分别位于多个连接垫上,并且毛细渗透部位于多个连接垫上;以及多个焊接体,连接电磁屏蔽封装结构与电路板,并且每个导电部与相对应的连接垫以一个焊接体相连接;其中,电磁屏蔽层通过毛细渗透部而与任一个焊接体隔开。
优选地,每个焊接体包含有:一连接部,连接于相对应导电部与连接垫之间;一延伸部,自连接部延伸而形成,并且延伸部连接于相对应连接垫与毛细渗透部之间;及一攀爬部,自延伸部延伸而形成,并且攀爬部连接于相对应连接垫及部分喷涂覆盖部。
优选地,电磁屏蔽层的外表面包含有一顶面及相连于顶面与底缘的一环侧面,并且喷涂覆盖部形成于电磁屏蔽层的环侧面。
优选地,喷涂覆盖部形成于电磁屏蔽层的整个外表面。
优选地,毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于电磁屏蔽层的底缘的内侧、并位于多个导电部的外侧。
优选地,毛细渗透部的厚度小于喷涂覆盖部的厚度。
优选地,电磁屏蔽层进一步限定为厚度介于3微米~5微米的一纳米金属层。
本实用新型实施例也公开一种电磁屏蔽封装结构,其包括:一载板,包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧缘;至少一个芯片,安装于载板的第一板面上;一封装体,形成于载板的第一板面且埋置至少一个芯片;一电磁屏蔽层,形成于载板的环侧缘及封装体的外表面,并且电磁屏蔽层的底缘切齐于载板的第二板面;以及一绝缘层,包含有:一喷涂覆盖部,形成于电磁屏蔽层的至少部分外表面;及一毛细渗透部,自喷涂覆盖部的底端通过毛细现象朝第二板面延伸所形成,并且毛细渗透部覆盖电磁屏蔽层的底缘。
优选地,载板的第二板面配置有多个导电部,并且至少一个芯片电性耦接于至少一个导电部;其中,毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于电磁屏蔽层的底缘的内侧、并位于多个导电部的外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造