[实用新型]电磁屏蔽封装结构及电子组件有效
申请号: | 202222678487.1 | 申请日: | 2022-10-11 |
公开(公告)号: | CN218525544U | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 廖志豪;吴书翰;黄馨叶 | 申请(专利权)人: | 纮华电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
地址: | 201801 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 封装 结构 电子 组件 | ||
1.一种电子组件,其特征在于,所述电子组件包括:
一电磁屏蔽封装结构,包含:
一载板,包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于所述第一板面与所述第二板面的一环侧缘;其中,所述第二板面配置有多个导电部;
至少一个芯片,安装于所述载板的所述第一板面上,并且至少一个所述芯片电性耦接于至少一个所述导电部;
一封装体,形成于所述载板的所述第一板面且埋置至少一个所述芯片;
一电磁屏蔽层,形成于所述载板的所述环侧缘及所述封装体的外表面,并且所述电磁屏蔽层的底缘切齐于所述载板的所述第二板面;及
一绝缘层,包含有:
一喷涂覆盖部,形成于所述电磁屏蔽层的至少部分外表面;及
一毛细渗透部,自所述喷涂覆盖部的底端通过毛细现象朝所述第二板面延伸所形成,并且所述毛细渗透部覆盖所述电磁屏蔽层的所述底缘;
一电路板,形成有多个连接垫;其中,所述电磁屏蔽封装结构的多个所述导电部分别位于多个所述连接垫上,并且所述毛细渗透部位于多个所述连接垫上;以及
多个焊接体,连接所述电磁屏蔽封装结构与所述电路板,并且每个所述导电部与相对应的所述连接垫以一个所述焊接体相连接;其中,所述电磁屏蔽层通过所述毛细渗透部而与任一个所述焊接体隔开。
2.依据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,每个所述焊接体包含有:
一连接部,连接于相对应所述导电部与所述连接垫之间;
一延伸部,自所述连接部延伸而形成,并且所述延伸部连接于相对应所述连接垫与所述毛细渗透部之间;及
一攀爬部,自所述延伸部延伸而形成,并且所述攀爬部连接于相对应所述连接垫及部分所述喷涂覆盖部。
3.依据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,所述电磁屏蔽层的所述外表面包含有一顶面及相连于所述顶面与所述底缘的一环侧面,并且所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的所述环侧面。
4.依据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的整个所述外表面。
5.依据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,所述毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于所述电磁屏蔽层的所述底缘的内侧、并位于多个所述导电部的外侧。
6.依据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,所述毛细渗透部的厚度小于所述喷涂覆盖部的厚度。
7.依据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,所述电磁屏蔽层进一步限定为厚度介于3微米~5微米的一纳米金属层。
8.一种电磁屏蔽封装结构,其特征在于,所述电磁屏蔽封装结构包括:
一载板,包含有位于相反侧的一第一板面与一第二板面及相连于所述第一板面与所述第二板面的一环侧缘;
至少一个芯片,安装于所述载板的所述第一板面上;
一封装体,形成于所述载板的所述第一板面且埋置至少一个所述芯片;
一电磁屏蔽层,形成于所述载板的所述环侧缘及所述封装体的外表面,并且所述电磁屏蔽层的底缘切齐于所述载板的所述第二板面;以及
一绝缘层,包含有:
一喷涂覆盖部,形成于所述电磁屏蔽层的至少部分外表面;及
一毛细渗透部,自所述喷涂覆盖部的底端通过毛细现象朝所述第二板面延伸所形成,并且所述毛细渗透部覆盖所述电磁屏蔽层的所述底缘。
9.依据权利要求8所述的电磁屏蔽封装结构,其特征在于,所述载板的所述第二板面配置有多个导电部,并且至少一个所述芯片电性耦接于至少一个所述导电部;其中,所述毛细渗透部的内边缘呈不规则状且位于所述电磁屏蔽层的所述底缘的内侧、并位于多个所述导电部的外侧。
10.依据权利要求9所述的电磁屏蔽封装结构,其特征在于,所述电磁屏蔽层进一步限定为厚度介于3微米~5微米的一纳米金属层,所述喷涂覆盖部形成于所述电磁屏蔽层的整个所述外表面,并且所述毛细渗透部的厚度小于所述喷涂覆盖部的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造