[实用新型]一种直线式PECVD设备有效
| 申请号: | 202222647490.7 | 申请日: | 2022-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN218812082U | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 杨与胜;庄辉虎;练小洪 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 直线 pecvd 设备 | ||
本实用新型提供了一种直线式PECVD设备,其包含多个腔室,从进料端依次包含:进料腔,预热腔、多个反应腔、冷却腔和出料腔;所述进料腔、预热腔、反应腔、冷却腔和出料腔均为独立的腔室,进料腔进料口和出料腔出料口及相邻腔室之间均设有密封隔断组件。当相邻两反应腔进行不同的沉积反应时,该两个反应腔之间还设有独立的缓冲腔;所述缓冲腔与反应腔之间也设有密封隔断组件。该直线式PECVD设备通过各个独立腔室的设置,及进料腔和出料腔的设置可以优化预热腔和冷却腔的功能,将稳定反应腔工艺气体和压力的时间节拍放在预热腔和冷却腔进行,减少反应腔的工艺沉积时间,从而大大缩短了整体节拍,有效提升设备产能。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产设备领域,尤其涉及一种直线式PECVD设备。
背景技术
目前PECVD有链式和团簇式,其中在HJT使用的PECVD基本上是使用链式,链式PECVD采用多个腔体连接起来,有的是多个工艺腔拼接在一起,但每个腔室均有独立的阀门和独立的泵组;另外一种是工艺腔室中间没有阀门,与工艺腔连接的前后腔有阀门。
多个工艺腔是拼接在一起,工艺腔之间没有阀门,当各工艺腔使用不同的工艺气体条件时,各工艺腔的气体会发生串扰,导致工艺不稳定,工艺灵活性差。
申请人的在先申请CN 214736083 U公开了一种优化沉积腔的线式PECVD设备,其通过优化沉积腔提升生产效率,对各沉积反应进行分段,在满足工艺需求的前提下,提升整线运行节拍,即节约沉积时间,又保证了工艺的可灵活调整性。但是当载板要从预热腔到工艺腔时,在阀门打开时,工艺腔需要Ar吹扫,确保工艺腔内无工艺气体,当吹扫完成后预热腔与工艺腔的阀门打开,载板传入工艺腔,工艺腔需要充气稳定腔体内压力,压力稳定后才开始做沉积工艺;工艺完成后载板传出还需要重复刚才的吹扫动作,这样能确保各工艺气体不串气。但这也相应增加稳定工艺腔腔体内压力及传出的前吹扫的节拍时间,相当于腔室吹扫的时间需要算入整体的工艺节拍中;另外载板传送到位后工艺腔内需要充工艺气体,且需要一定的时间来稳定工艺腔体内的压力,且工艺沉积完成后需要抽掉工艺气体。工艺执行过程种充气、稳压和抽气占用的时间太多,导致设备生产节拍拉长,产能减少。再者IN段工艺腔有沉积I层和N层,两种沉积的工艺气体不一样,要保证工艺腔内气体不串扰有一定的困难,吹扫的时间需要加长。个别膜层的工艺沉积时间较长,如微晶工艺,使得各膜层的工艺时间不匹配,节拍加长,整体的产能进一步降低,要保证产能需要增加更多的工艺腔,设备产线加长,能耗增高。因此,现有技术存在不足。
发明内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种直线式PECVD设备,通过在原来的预热腔和冷却腔前分别增加一个进料腔和出料腔,同时将预热腔和冷却腔内的功能细分,优化整体流程,提升设备生产能力,设备除必要的工艺时间和机械动作时间外,其他的时间均可在膜层沉积工艺时间内完成,大大缩短了整体节拍,提升设备产能。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种直线式PECVD设备,所述直线式PECVD包含多个腔室,其从进料端依次包含:进料腔,预热腔、多个反应腔、冷却腔和出料腔;所述进料腔、预热腔、反应腔、冷却腔和出料腔均为独立的腔室,进料腔进料口和出料腔出料口及相邻腔室之间均设有密封隔断组件。
进一步,所述当相邻两反应腔进行不同的沉积反应时,该两个反应腔之间还设有独立的缓冲腔;所述缓冲腔与反应腔之间设有密封隔断组件。
进一步的,所述进料腔、预热腔、反应腔、冷却腔和出料腔均设置有进气装置和配套的独立干泵系统。
进一步的,所述反应腔还设置有加热装置,优选的所述加热装置为可以升降的加热板。
进一步的,所述缓冲腔设置有进气装置和配套的独立干泵系统。
进一步的,所述缓冲腔还设置有加热装置。
和现有技术相比,本实用新型提供的直线式PECVD设备具有如下有益效果:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





