[实用新型]一种微小型发光二极管结构

说明书

本实用新型涉及一种微小型发光二极管结构。本实用新型包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触，接触电极上方设有用于与焊盘电极接触的通孔区，所述台阶与芯片衬底正面之间形成有沿芯片衬底正面周向设置的隔离槽，所述隔离槽上分布有凹槽点。本实用新型所述的一种微小型发光二极管结构，通过在隔离槽上设置凹槽点，增强侧向取光效率，改善发光均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是指一种微小型发光二极管结构。

背景技术

发光二极管（LED）是一种将电能转化为光能的固体发光器件。随着发光二极管芯片尺寸缩小到小型(mini)甚至微型(micro)，发光二极管的有效发光面积急剧缩小，因此，针对微小型发光二极管，如何有效提升LED的取光效率，成为了微小型发光二极管开发的关键之一。

发明内容

为此，本实用新型提供一种微小型发光二极管结构，可有效提升取光效率并改善发光均匀性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种微小型发光二极管结构，包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触，接触电极上方设有用于与焊盘电极接触的通孔区，所述台阶与芯片衬底正面之间形成有沿芯片衬底正面周向设置的隔离槽，所述隔离槽上分布有凹槽点。

在本实用新型的一种实施方式中，所述隔离槽为矩形结构。

在本实用新型的一种实施方式中，所述凹槽点设于隔离槽相对的两边中宽度较宽的一边上。

在本实用新型的一种实施方式中，所述凹槽点在隔离槽上均匀分布。

在本实用新型的一种实施方式中，所述凹槽点的分布间距为2~20μm。

在本实用新型的一种实施方式中，所述凹槽点的直径为1~5μm，深度为5-20μm。

在本实用新型的一种实施方式中，所述外延结构包括设于芯片衬底正面的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述透明导电层设于第二半导体层的正面。

在本实用新型的一种实施方式中，所述绝缘层与接触电极形成间隙区，所述间隙区覆盖有致密绝缘层，所述致密绝缘层覆盖有绝缘反射层，接触电极上方的致密绝缘层和绝缘反射层之间形成用于与焊盘电极接触的通孔区。

在本实用新型的一种实施方式中，所述致密绝缘层的侧坡面与芯片衬底正面法线形成的角度小于绝缘反射层的侧坡面与衬底正面法线形成的角度。

在本实用新型的一种实施方式中，所述微小型发光二极管结构的宽度介于20~500µm，长度介于20~1000µm。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

本实用新型所述的一种微小型发光二极管结构，通过在隔离槽上设置凹槽点，增强侧向取光效率，改善发光均匀性，致密绝缘层、绝缘反射层形成有两种角度的斜坡，绝缘反射层进一步提升了整体取光效率。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中

图1是本实用新型凹槽点在隔离槽上设置的第一种方式示意图。

图2是本实用新型微小型发光二极管结构的组成示意图。