[实用新型]一种微小型发光二极管结构

权利要求书

1.一种微小型发光二极管结构，其特征在于，包括芯片衬底（1），所述衬底正面设有外延结构（2），所述外延结构（2）正面设有透明导电层（3），所述外延结构（2）的侧面形成有台阶（20），所述台阶（20）以及透明导电层（3）的正面覆盖有绝缘层（4），所述绝缘层（4）设有接触区，接触电极（8）通过接触区与透明导电层（3）及外延结构（2）接触，接触电极（8）上方设有用于与焊盘电极（5）接触的通孔区，所述台阶（20）与芯片衬底（1）正面之间形成有沿芯片衬底（1）正面周向设置的隔离槽（100），所述隔离槽（100）上分布有凹槽点（110）。

2.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述隔离槽（100）为矩形结构。

3.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）设于隔离槽（100）相对的两边中宽度较宽的一边上。

4.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）在隔离槽（100）上均匀分布。

5.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）的分布间距为2~20μm。

6.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）的直径为1~5μm，深度为5-20μm。

7.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述外延结构（2）包括设于芯片衬底（1）正面的缓冲层（21），在缓冲层（21）的正面设有第一半导体层（22），第一半导体层（22）的正面为台阶面，在第一半导体层（22）的正面高台阶（20）面设有有源层（23），在有源层（23）的正面设有第二半导体层（24），所述透明导电层（3）设于第二半导体层（24）的正面。

8.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，

所述绝缘层（4）与接触电极（8）形成间隙区，所述间隙区覆盖有致密绝缘层（6），所述致密绝缘层（6）覆盖有绝缘反射层（7），接触电极（8）上方的致密绝缘层（6）和绝缘反射层（7）之间形成用于与焊盘电极（5）接触的通孔区。

9.根据权利要求8所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述致密绝缘层（6）的侧坡面与芯片衬底（1）正面法线形成的角度小于绝缘反射层（7）的侧坡面与芯片衬底（1）正面法线形成的角度。

10.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述微小型发光二极管结构的宽度介于20~500µm，长度介于20~1000µm。