[实用新型]硅片腐蚀用腐蚀花篮

说明书

本实用新型公开了一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至少三组承载部，所述承载部包括至少两个承载件，所述承载件沿同一径向方向上自原点向外依次安装在所述镂空底座上，且自原点向外的方向上，所述承载件的高度依次增加；所述承载件上部外侧向上延伸出限位件，相同高度的所述承载件和所述限位件共同限定出用于容纳硅片的容纳空间；所述手柄两端安装在所述镂空底座上、且靠近所述镂空底座边缘。实用新型能够适应不同尺寸的样品、降低化学药液的使用量，以及减少样品与腐蚀花篮的接触面积，以减少对检测结果的影响。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种硅片腐蚀用腐蚀花篮。

背景技术

相关技术中指出，为了适应现今社会发展对亚微米、纳米级别继承电路和元器件的要求，单晶硅材料在不断扩大直径的同时也着手提高其结构、电路等各项性能。目前制备半导体单晶硅硅片的主要方法为直拉法(Czochralski法)，在长晶过程中Voronkov提出的V/G(V是晶体生长速度，G是晶体生长界面的轴向温度梯度)理论影响晶体微缺陷的形成和长大，V/G的变动会使点缺陷不平衡而产生空位型缺陷和间隙型缺陷，这些缺陷的存在不仅会破坏栅极氧化物的完整性(GOI)，还会造成PN结漏电、电容短路或绝缘失效等问题，降低了集成电路的成品率，因此，对电路性能和器件成品率造成不利影响的晶体缺陷及其洁净度成为研究的重点。

现阶段的缺陷检测需先对硅片进行高温氧化热处理使缺陷形核长大，再将处理后的硅片放入到腐蚀花篮内，通过腐蚀花篮将硅片放入到化学药液槽内，采用化学择优腐蚀通过不同的腐蚀速率让硅片上的缺陷显现出来，含铬药液因具有良好的显影及腐蚀效果被广泛用于硅片缺陷检测中，但因工艺实验研究各种缺陷类型的硅片数量较少，若直接使用现有的腐蚀槽体和腐蚀花篮所需体积容量较大，约需要60L的化学药液方可没过硅片顶部进行化学腐蚀，并且化学药液因其挥发特性及与硅的化学反应后腐蚀速率和腐蚀效果变差，甚至无腐蚀特性，故化学药液无法多次使用，而含铬废弃物的排放会对人类和土壤等自然环境造成严重的破坏，需尽量减少对化学药液的使用及排放。若去除载具花篮可一定量的降低所需化学药液的体积，但硅片会沉入槽底并与底部接触贴合，使用工具难以将样品从腐蚀槽体中取出，同时对于缺陷观察与检测造成干扰和影响。此外，现有的腐蚀花篮均对不同的样品(硅片)尺寸设计不同的长度、宽度、高度来满足样品的放置要求，对样品的兼容性较差，并且现有的腐蚀花篮由插槽组成，其每个独立卡槽宽度约8-10mm接触样品边缘，导致药液流通受阻腐蚀速率降低，出现样品边缘腐蚀不均留有花篮印、腐蚀斑等干扰，影响缺陷目检。因此，为解决上述现有腐蚀花篮存在的弊端，设计一种可以兼容样品、节省化学药液、减少样品接触面积的腐蚀花篮。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型在于提出一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，能够适应不同尺寸的样品、降低化学药液的使用量，以及减少样品与腐蚀花篮的接触面积，以减少对检测结果的影响。

为实现上述目的，本实用新型提供一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至少三组承载部，每组所述承载部包括至少两个承载件，所述承载件沿同一径向方向上自原点向外的方向上依次安装在所述镂空底座上，且自原点向外的方向上，所述承载件的高度依次增加；所述承载件上部外侧向上延伸出限位件，相同高度的所述承载件和所述限位件共同限定出用于容纳硅片的容纳空间；所述手柄两端安装在所述镂空底座上、且靠近所述镂空底座边缘。本实施例中，硅片可平放在承载件上，且限位件会对硅片进行限位，保证硅片在化学药液中浸泡时，始终处于容纳空间内，而不会因为水的流动漂移到其他位置，以使化学药液对硅片整体均匀腐蚀。硅片平放在腐蚀花篮中，大大地节省了化学药液的使用量，一方面降低了生产成本，另一方面排放量少了，降低了对环境的污染。