[实用新型]一种降低单晶炉功耗的炉底结构和设有该结构的单晶炉有效
申请号: | 202222250782.7 | 申请日: | 2022-08-25 |
公开(公告)号: | CN218345584U | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 李鹏飞;许建;王建平;王林 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 单晶炉 功耗 结构 设有 | ||
本实用新型提供一种降低单晶炉功耗的炉底结构和设有该结构的单晶炉,包括固化毡保温层,所述固化毡保温层铺设在单晶炉底部,所述固化毡保温层顶部设置隔热层,所述隔热层内部设有真空腔体,用于阻断热量传递。本实用新型还提供一种设有该炉底结构的单晶炉。本实用新型的有益效果是提高了单晶炉炉底的保温效果,减少了单晶炉的功耗,降低了单晶硅的生产成本。
技术领域
本实用新型属于单晶炉技术领域,尤其是涉及一种降低单晶炉功耗的炉底结构和设有该结构的单晶炉。
背景技术
直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术,单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。随着市场竞争加剧,为了提升单晶的价格优势,降低单晶硅的生产成本非常必要。在单晶硅的生产过程中,燃动成本占比较大,降低单晶炉功耗是降低单晶硅生产成本的主要途径之一。
在现有技术中,如图1所示,单晶炉底铺设固化毡作为保温层,由于固化毡导热率及体积密度较高,热量很容易从炉底散失,为了保证单晶炉热场温度,单晶炉中的加热器需要消耗更多的电能产生热量,从而导致单晶炉功耗较高。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种降低单晶炉功耗的炉底结构,有效的解决了单晶炉炉底热量易散失的问题,克服了现有技术的不足。
本实用新型采用的技术方案是:一种降低单晶炉功耗的炉底结构,包括固化毡保温层,所述固化毡保温层铺设在单晶炉底部,所述固化毡保温层顶部设置隔热层,所述隔热层内部设有真空腔体,用于阻断热量传递。
进一步,所述真空腔体数量为多个,均布在所述隔热层内部。
进一步,所述真空腔体的形状为球型或者椭球型。
进一步,所述隔热层设有多层隔热分层,上层隔热分层与下层隔热分层边缘对齐设置。
进一步,所述多层隔热分层的厚度相同。
进一步,所述隔热分层的顶部设有下凹容腔,底部设有上凹容腔,所述上凹容腔与下凹容腔间隔设置,所述上层隔热分层的上凹容腔与下层隔热分层的下凹容腔形成所述真空腔体。
进一步,位于所述隔热层顶部的隔热分层顶部不设所述下凹容腔。
进一步,位于所述隔热层底部的隔热分层底部不设所述上凹容腔。
进一步,所述固化毡保温层与隔热层的厚度相同。
本实用新型还提供一种单晶炉,底部设置如上任一所述的降低单晶炉功耗的炉底结构。
本实用新型具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案,提高了单晶炉炉底的保温效果,减少了单晶炉的功耗,降低了单晶硅的生产成本。
附图说明
图1是现有技术炉底结构示意图。
图2是本实用新型实施例一种降低单晶炉功耗的炉底结构的示意图。
图3是本实用新型实施例一种降低单晶炉功耗的炉底结构隔热层局部放大图。
图中:
10、固化毡保温层 20、隔热层 21、隔热分层
22、上凹容腔 23、下凹容腔 30、单晶炉底
具体实施方式
本实用新型实施例提供了一种降低单晶炉功耗的炉底结构,下面结合附图对本实用新型的实施例做出说明。
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