[实用新型]一种半导体设备功率匹配器的连接装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体设备功率匹配器的连接装置，所述连接装置至少包括：传输棒；第一连接件；第一盖板，与所述第一连接件可拆卸连接，且所述第一盖板与所述第一连接件合围成第一空腔，用以容纳所述传输棒；绝缘套，设置在所述第一连接件和所述第一盖板外侧，并包覆所述第一连接件和所述第一盖板；以及第二连接件，设置在所述绝缘套外侧，并包覆所述绝缘套。本实用新型提供的一种半导体设备功率匹配器的连接装置，能够提高生产工艺的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体设备功率匹配器的连接装置。

背景技术

高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapordeposition，HDP-CVD)设备是半导体器件制造的重要设备，能够在较低的温度下产生更高的等离子体密度和质量，提供几乎独立的离子通道和能量控制，满足0.25微米以下的芯片制造的需求。功率匹配器(bias match)是HDP-CVD设备的主要部件之一，用以将射频电源(RF power)进行功率匹配后，将电源传输至主机台中，形成电流。然而，此过程电压电流较大，易发生电弧放电(arcing)，降低产品的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体设备功率匹配器的连接装置，能有效降低传输棒与功率匹配器连接处发生电弧放电的概率，提高生产工艺的稳定性，提高产品的良率。

本实用新型提供一种半导体设备功率匹配器的连接装置，至少包括，

传输棒；

第一连接件；

第一盖板，与所述第一连接件可拆卸连接，且所述第一盖板与所述第一连接件合围成第一空腔，用以容纳所述传输棒；

绝缘套，设置在所述第一连接件和所述第一盖板外侧，并包覆所述第一连接件和所述第一盖板；以及

第二连接件，设置在所述绝缘套外侧，并包覆所述绝缘套。

在本实用新型的一实施例中，所述绝缘套包括第一绝缘套，所述第一绝缘套设有第一容纳槽，容纳所述第一连接件。

在本实用新型的一实施例中，所述绝缘套包括第二绝缘套，所述第二绝缘套与所述第一绝缘套可拆卸连接，且所述第二绝缘套设有第二容纳槽。

在本实用新型的一实施例中，所述连接装置还包括第二盖板，且所述第二盖板与所述第二连接件合围成第二空腔，以容纳所述绝缘套。

在本实用新型的一实施例中，所述第一连接件包括连接头，所述连接头与所述功率匹配器内部连接。

在本实用新型的一实施例中，所述第一绝缘套包括绝缘管，所述绝缘管套设于所述连接头。

在本实用新型的一实施例中，所述绝缘管设有第一通孔，所述连接头通过所述第一通孔延伸至所述绝缘管内。

在本实用新型的一实施例中，所述第二连接件包括固定部，所述固定部上设有第二通孔，所述第二通孔的孔径大于所述绝缘管的外径。

在本实用新型的一实施例中，所述第二连接件包括连接部，且所述连接部上设有第三通孔，所述第三通孔的孔径小于所述绝缘管的外径。

在本实用新型的一实施例中，所述第二连接件包括卡座，所述连接部设置在所述卡座与所述固定部之间。

本实用新型提供的一种半导体设备功率匹配器的连接装置，能有效降低传输棒与功率匹配器连接处发生电弧放电的概率，减少半导体设备机台宕机的频率，提高生产工艺的稳定性，从而提高产品的良率。同时也能延长功率匹配器和传输棒的使用寿命，减少机台更换配件的频率，节约生产成本。

附图说明