[实用新型]一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖有效

专利信息
申请号: 202222132782.7 申请日: 2022-08-12
公开(公告)号: CN218120621U 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 俞益君;王才军;俞清耀;王景;杨帆 申请(专利权)人: 江苏君耀耐磨耐火材料有限公司
主分类号: F27D1/06 分类号: F27D1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214225 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 导热 硅莫红 结构 红外 辐射 功能
【说明书】:

实用新型公开了一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖,涉及耐火材料技术领域,包括下层多孔隙高硅砖,下层多孔隙高硅砖的内部开设有槽孔,槽孔的内壁填充有纳米隔热板和红外反辐射金属薄层,下层多孔隙高硅砖的上端通过高温结合剂粘结有硅莫红砖一,硅莫红砖一的上端开设有空槽一,空槽一横截面形状呈矩形,下层多孔隙高硅砖的内部开设有槽孔,槽孔的内壁填充有纳米隔热板和红外反辐射金属薄层,下层多孔隙高硅砖的上端通过高温结合剂粘结有硅莫红砖二,解决了两层材质煅烧温度、耐火度以及热膨胀系数不能相差太大,如果材质差异太大,会出现过烧、欠烧以及断裂等问题,生产工艺复杂,成品率低,而且使用风险高的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及耐火材料技术领域,尤其涉及一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖。

背景技术

随着水泥生产技术的不断创新,水泥生产主机设备向大型化方向发展,增加产量、提高质量、节能降耗、降低成本成为生产管理中增加效益的关键。现有回转窑应用领域包括水泥、石灰、危废处置、还原焙烧等回转窑炉。目前主流方案是重质单层砖砌筑,也有采用双层砖复合砌筑,以及常规的复合砖砌筑。重质单层砖其导热系数较高,一般为2~3W/(m·K),因此采用单层结构导致回转窑的散热系数非常大,在窑壳温度高达300~400℃时,导致大量的能源浪费,甚至筒体变形。双层砖复合砌筑的结构是指采用隔热砖和重质砖复合砌筑,隔热砖由于导热系数低,能起到降低窑皮温度、减少筒体散热作用,但是由于回转窑是动态窑炉,窑转速最高甚至达到3~4r/min,同轴安装的内外环砖之间会相对滑移,造成重质砖和隔热砖互相挤压,导致隔热砖破碎损毁,出现窑砖抽签或者掉砖现象,严重时出现窑砖垮塌。为了解决双层砖衬里滑移的问题,目前常规的复合砖设计包括重质层和隔热层,经过压力机压制成型并烧结复合在一起。

然而两层材质煅烧温度、耐火度以及热膨胀系数不能相差太大,如果材质差异太大,会出现过烧、欠烧以及断裂等问题,生产工艺复杂,成品率低,而且使用风险高,这就限制了复合结构选材设计。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖,解决了两层材质煅烧温度、耐火度以及热膨胀系数不能相差太大,如果材质差异太大,会出现过烧、欠烧以及断裂等问题,生产工艺复杂,成品率低,而且使用风险高的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖,包括下层多孔隙高硅砖,其特征在于:所述下层多孔隙高硅砖的内部开设有槽孔,所述槽孔的内壁填充有纳米隔热板和红外反辐射金属薄层。

优选的,所述下层多孔隙高硅砖的上端通过高温结合剂粘结有硅莫红砖一,所述硅莫红砖一的上端开设有空槽一,所述空槽一横截面形状呈矩形。

优选的,所述下层多孔隙高硅砖的上端通过高温结合剂粘结有硅莫红砖二,所述硅莫红砖二的上端开设有空槽二,所述空槽二的横截面形状呈梯形。

优选的,所述下层多孔隙高硅砖的上端通过高温结合剂粘结有硅莫红砖三,所述硅莫红砖三的上端开设有空槽三,所述空槽三的横截面形状呈椭圆形。

与相关技术相比较,本实用新型提供的一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖具有如下有益效果:

本实用新型提供一种低导热硅莫红结构红外反辐射功能砖,提高隔热性能,并确保轻质部位的强度和耐火度,进一步提高了耐磨性和耐蚀性,同时也提高了抗热震性;三种空槽的设计减小了复合砖与回转窑的摩擦力,增加了低导热功能砖和回转窑的使用寿命,大大降低了生产成本。

附图说明

图1为本实用新型矩形空槽状态结构示意图;

图2为本实用新型梯形空槽状态结构示意图;

图3为本实用新型椭圆形空槽状态结构示意图。

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