[实用新型]一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片

说明书

本实用新型涉及一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片，晶闸管芯片包括阳极、硅片、第一阴极、第二阴极、第一门极和第二门极，硅片自下向上依次包括第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层，第二P型半导体层上部设有相互独立的第一N型半导体区和第二N型半导体区，第一阴极与第二门极之间串联一颗电阻，阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第一N型半导体区、第一门极配合形成引导晶闸管，阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体区、第二门极配合形成主晶闸管。有益效果是：本高频晶闸管芯片开通响应有效且快速，还提高触发灵敏度，降低开通损耗，提高di/dt耐量。

技术领域

本实用新型涉及功率晶闸管领域，尤其涉及一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片。

背景技术

晶闸管芯片是晶闸管的核心部件。而晶闸管芯片属于硅元件，普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会发生烧坏晶闸管芯片的现象。

目前使用的功率晶闸管普遍存在触发灵敏度低，开通损耗大、di/dt耐量低及开通速度慢的问题，这些都是造成晶闸管芯片过载能力差的主要技术性问题，这些技术性问题若不解决会直接影响晶闸管芯片的质量、不利于使用晶闸管的终端设备正常工作。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的晶闸管触发灵敏度低、开通损耗大、开通速度慢、di/dt耐量低和关断时间长的问题，提供一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片，所述晶闸管芯片包括阳极、硅片、第一阴极、第二阴极、第一门极和第二门极，所述硅片自下向上依次包括第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层，所述第二P型半导体层上部设有相互独立的第一N型半导体区和第二N型半导体区，所述阳极与第一P型半导体层连接，所述第一阴极与第一N型半导体区顶端连接，所述第二阴极与第二N型半导体区顶端连接，所述第一门极和第二门极分别与第二P型半导体层顶端连接；

所述第一阴极与第二门极之间串联一颗电阻，所述阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第一N型半导体区、第一门极配合形成引导晶闸管，所述阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体区、第二门极配合形成主晶闸管。

本实用新型的有益效果是：

当本晶闸管芯片开通时，对引导晶闸管施加一门极电流使引导晶闸管先导通，随着引导晶闸管的开通，来自负载电路的电流流入主晶闸管的第二门极，因而在高门极驱动条件下触发了主晶闸管，使晶闸管芯片有效且快速的开通响应，还提高触发灵敏度，降低开通损耗，提高di/dt耐量；提高晶闸管芯片的质量，有利于使用晶闸管的终端设备正常工作。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本实用新型中晶闸管芯片的结构示意图；

图中标号说明：阳极1、硅片2、第一P型半导体层3、N型半导体层4、第二P型半导体层5、第一门极6、第一阴极7、第二门极8、第二阴极9、第一N型半导体区10、第二N型半导体区11、电阻12。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本实用新型。