[实用新型]一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片

权利要求书

1.一种具有引导晶闸管的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述晶闸管芯片包括阳极、硅片、第一阴极、第二阴极、第一门极和第二门极，所述硅片自下向上依次包括第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层，所述第二P型半导体层上部设有相互独立的第一N型半导体区和第二N型半导体区，所述阳极与第一P型半导体层连接，所述第一阴极与第一N型半导体区顶端连接，所述第二阴极与第二N型半导体区顶端连接，所述第一门极和第二门极分别与第二P型半导体层顶端连接；

所述第一阴极与第二门极之间串联一颗电阻，所述阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第一N型半导体区、第一门极配合形成引导晶闸管，所述阳极与第一P型半导体层、N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体区、第二门极配合形成主晶闸管。

2.根据权利要求1所述的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述晶闸管芯片为圆形。

3.根据权利要求2所述的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述阳极、硅片和第一门极均为圆形，所述阳极的直径与硅片的直径相同，所述硅片的直径是第一门极的直径的10~20倍，所述阳极的中心轴、硅片的中心轴和第一门极的中心轴共线。

4.根据权利要求3所述的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述第一阴极、第二门极、第二阴极、第一N型半导体区和第二N型半导体区均为圆环形，并且所述第一阴极的中心轴、第二门极的中心轴、第二阴极的中心轴、第一N型半导体区的中心轴、第二N型半导体区的中心轴与第一门极的中心轴共线。

5.根据权利要求4所述的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述第一N型半导体区的内径小于第一阴极的内径，所述第一N型半导体区的外径大于第一阴极的外径；所述第二N型半导体区的内径小于第二阴极的内径，所述第二N型半导体区的外径大于第二阴极的外径。

6.根据权利要求1所述的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述第一门极的直径小于第一N型半导体区的内径，所述第二门极的内径大于第一N型半导体区的外径，所述第二门极的外径小于第二N型半导体区的外径。

7.根据权利要求1所述的高频晶闸管芯片，其特征在于：所述第一N型半导体区的厚度等于第二N型半导体区的厚度，所述第一N型半导体区的厚度为第二P型半导体层的厚度的20%~50%。