[实用新型]一种高压过流保护电路及系统

权利要求书

1.一种高压过流保护电路，其特征在于，所述高压过流保护电路包括：点火控制输入子电路和熔断触发子电路，所述点火控制输入子电路包括第一MOS管、第一电容以及第一二极管；所述熔断触发子电路包括熔断开关、活塞以及点火装置；其中，所述点火控制输入子电路用于将升压产生的电能存储在所述第一电容中，实现在外部有碰撞信号发出时，所述第一电容内存储的电能能够为所述点火装置提供能量；

所述第一MOS管的栅极与外部触发装置电连接，所述第一MOS管的漏极与所述第一电容的一端电连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一MOS管的源极与所述第一二极管的阳极电连接，所述第一二极管的阴极与所述点火装置的接入端电连接，所述点火装置的接出端与所述活塞的一端电连接，所述活塞的另一端与所述熔断开关的一端电连接，所述熔断开关的另一端与外部高压电源电连接；

当外部有碰撞信号或触发信号发出时，外部触发装置输出高电平碰撞信号至所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管导通，所述第一电容放电，并经由所述第一二极管触发所述点火装置点火，所述点火装置推动所述活塞控制所述熔断开关断开，以便断开与外部高压电源的连接。

2.根据权利要求1所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述点火控制输入子电路还包括：电感、第二二极管、三极管、第二MOS管以及第三MOS管；

所述三极管的基极与外部BMS子系统通信连接，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极与第三MOS管的栅极电连接，所述第三MOS管的源极与外部低压供电电源电连接，所述第三MOS管的漏极通过所述电感与所述第二二极管的阳极和所述第二MOS管的漏极电连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的基极与外部BMS子系统通信连接，所述第二二极管的阴极与第一电容的一端电连接。

3.根据权利要求2所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述高压过流保护电路还包括第三二极管，所述第三二极管的阳极与外部触发装置电连接，所述第三二极管的阴极与所述第一MOS管的栅极电连接。

4.根据权利要求3所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述高压过流保护电路还包括限流组件，所述限流组件包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与三极管的集电极电连接，所述第一电阻的另一端与第三MOS管的栅极电连接，所述第二电阻的一端与第三二极管的阴极电连接，所述第二电阻的另一端与第一MOS管的栅极电连接。

5.根据权利要求2所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述高压过流保护电路还包括第二电容，所述第二电容的一端接地，所述第二电容的另一端与第二二极管的阴极电连接，且所述第二电容与所述第一电容并联。

6.根据权利要求2所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述三极管的型号为PNP型三极管。

7.根据权利要求2所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管的型号均为N型MOS管，所述第三MOS管的型号为P型MOS管。

8.根据权利要求1所述的高压过流保护电路，其特征在于，所述点火装置的型号为DVT026-21-PSS-4。

9.一种高压过流保护系统，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的高压过流保护电路、外部BMS子系统、外部低压供电电源、外部触发装置、外部高压电源；

所述外部低压供电电源的供电端与所述高压过流保护电路中第三MOS管的源极电连接，所述外部BMS子系统分别与所述高压过流保护电路中三极管的基极和第二MOS管的栅极通信连接，所述外部触发装置与所述高压过流保护电路中第三二极管的阳极电连接，所述外部高压电源的供电端与所述高压过流保护电路中的熔断开关电连接。

10.根据权利要求9所述的高压过流保护系统，其特征在于，所述外部高压电源的电压为800V，所述外部低压供电电源的电压为12V。