[实用新型]气流盖及气相沉积系统

说明书

一种气流盖及气相沉积系统，涉及光电子技术领域。该气流盖包括盖体；盖体的顶面和/或侧面设置有第一反应气体入口、第二反应气体入口和第三反应气体入口；盖体的底面设置有多个第一反应气体出口、多个第二反应气体出口和多个第三反应气体出口；盖体内部设置有第一反应气体腔、第二反应气体腔和第三反应气体腔；第一反应气体入口、第二反应气体入口和第三反应气体入口中的一个或者多个设置有推气装置。该气相沉积系统包括气流盖。本实用新型的目的在于提供一种气流盖及气相沉积系统，以在一定程度上解决现有技术中存在的Ⅲ族反应气体与掺杂反应气体各自通入量无法单独调整的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及光电子技术领域，具体而言，涉及一种气流盖及气相沉积系统。

背景技术

金属有机化合物气相沉积生长设备(MOCVD)目前已广泛用于生长发光二极管(LED)用的半导体发光材料。如图7所示，现有气相沉积系统至少包括一反应腔、位于反应腔下端的用于承载晶片5的载盘3和位于反应腔上端的气流盖1，载盘3内设置有加热装置6，驱动器4能够驱动载盘3转动。载盘3为圆盘型，如图8所示，以载盘3的中心为起点向边缘划分为若干个圆环区域，每个圆环区域设置有若干个用于承载晶片5的凹槽7；例如图8序号为31-36的凹槽7划分为其中一个圆环区域。

如图7所示，第一路气体为V族反应气体8，第二路气体为III族反应气体9和提供P型或N型掺杂反应气体的混合气体，第一路气体与第二路气体通过气流盖1分散后均匀通入反应腔内以避免预反应的发生,其III族反应气体9与提供P型或N型掺杂反应气体(如常见的TMIn、TMGa、TEGa、TMAl、SiH₄、Cp₂Mg)均是混合在一起后由同一管道入口(一个或复数个)一起通入反应腔后发生沉积反应,并藉由控制这部分气体在反应腔的分布来调整晶圆厚度的均匀性,但是由于这种设计只能整个反应腔室整体调整III族反应气体和掺杂反应气体的配比,无法单独调整III族反应气体、P型或N型掺杂反应气体，例如无法单独调整P型或N型掺杂In组成均匀性或者AlGaN中Al组成均匀性，或是n-GaN中Si、P-GaN中Mg掺杂的均匀性,需要进一步改善。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种气流盖及气相沉积系统，以在一定程度上解决现有技术中存在的Ⅲ族反应气体与掺杂反应气体各自通入量无法单独调整的技术问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

一种气流盖，包括盖体；

所述盖体的顶面和/或侧面设置有第一反应气体入口、第二反应气体入口和第三反应气体入口；

所述盖体的底面设置有多个第一反应气体出口、多个第二反应气体出口和多个第三反应气体出口；

所述盖体内部设置有连通所述第一反应气体入口与所述第一反应气体出口的第一反应气体腔，所述盖体内部设置有连通所述第二反应气体入口与所述第二反应气体出口的第二反应气体腔，所述盖体内部设置有连通所述第三反应气体入口与所述第三反应气体出口的第三反应气体腔；所述第一反应气体腔、所述第二反应气体腔和所述第三反应气体腔互不连通，且所述第一反应气体腔、所述第二反应气体腔和所述第三反应气体腔沿所述盖体的厚度方向设置；

所述第一反应气体入口、所述第二反应气体入口和所述第三反应气体入口中的一个或者多个设置有推气装置。

本实用新型的可选技术方案为，所述盖体呈圆盘型结构；

所述盖体包括多个呈扇形的盖体分部；多个所述盖体分部围合连接呈圆形。

本实用新型的可选技术方案为，每个所述盖体分部分别设置有所述第一反应气体入口、所述第二反应气体入口、所述第三反应气体入口、所述第一反应气体出口、所述第二反应气体出口和所述第三反应气体出口；

所述第一反应气体入口、所述第二反应气体入口和所述第三反应气体入口各自设置有推气装置。