[实用新型]一种冷壁法CVD沉积设备有效
| 申请号: | 202221684320.X | 申请日: | 2022-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN217839123U | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
| 发明(设计)人: | 冯嘉荔;钟兴进;何淑英 | 申请(专利权)人: | 广州市鸿浩光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司: | 广州正驰知识产权代理事务所(普通合伙) 44536 | 代理人: | 唐传妹 |
| 地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 冷壁法 cvd 沉积 设备 | ||
本实用新型公布了一种冷壁法CVD沉积设备,包括支撑座,支撑座的内腔左侧安装有电源,支撑座的内腔右侧安装有真空泵,支撑座的顶部中心连接有沉积箱,真空泵与沉积箱之间连通有抽气管,抽气管上安装有控制阀,支撑座的顶部左右两侧连接有液压杆,两个液压杆的顶部共同连接有压盖,压盖的底部左右两侧连接有固定架,两个固定架的下端之间转动连接有安装座,安装座的前后两端连接有加热棒,安装座沿长度方向开设有多个通槽;本实用新型结构设计合理,便于对晶片进行装卸,便于沉积操作的进行,能够充分利用加热产生的热能,减少反应物积聚残留在沉积箱内壁,方便对晶片的两个端面进行加工,避免了气体泄漏,节能环保,方便实用。
技术领域
本实用新型涉及沉积设备技术领域,尤其涉及一种冷壁法CVD沉积设备。
背景技术
CVD沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。
CVD系统存在热壁与冷壁之分。冷壁系统直接加热晶圆托架或晶圆,加热采用感应或热辐射方式,反应窒壁保持冷的状态。热壁系统加热晶圆、晶圆托架和反应室壁。冷壁CVD系统的优点在于反应仅在加热的晶圆托架处进行。在热壁系统中,反应遍布整个反应室,反应物残留在反应室的内壁上,反应物的积聚需要经常清洗,以避免污染晶圆。现有的沉积设备使用时往往只能对晶片一面进行沉积,需要人工二次翻面对其另一面进行沉积加工,操作繁琐麻烦,且容易造成内部气体泄漏,浪费材料,为此,我们提出了一种冷壁法CVD沉积设备。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种冷壁法CVD沉积设备,以克服现有技术中存在的技术问题。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型提供如下技术方案:
一种冷壁法CVD沉积设备,包括支撑座,所述支撑座的内腔左侧安装有电源,所述支撑座的内腔右侧安装有真空泵,所述支撑座的顶部中心连接有沉积箱,所述真空泵与沉积箱之间连通有抽气管,所述抽气管上安装有控制阀,所述支撑座的顶部左右两侧连接有液压杆,两个所述液压杆的顶部共同连接有压盖,所述压盖的底部左右两侧连接有固定架,两个所述固定架的下端之间转动连接有安装座,所述安装座的前后两端连接有加热棒,所述安装座沿长度方向开设有多个通槽。
优选的,一种冷壁法CVD沉积设备中,所述沉积箱的内腔右侧壁连接有电动推杆,所述电动推杆的活动端连接有隔热板,所述隔热板的右侧壁连接有转向电机,所述隔热板上转动连接有转向轴,所述转向轴的左端连接有卡块,所述安装座右端开设有与卡块相配合的卡槽,所述转向轴的右端连接有锥齿轮一,所述转向电机的动力输出端连接有锥齿轮二,所述锥齿轮二啮合连接锥齿轮一。
优选的,一种冷壁法CVD沉积设备中,所述压盖内壁开设有横槽,所述横槽的底部连通有多个出气孔,所述出气孔下端贯穿压盖底部,所述横槽的顶部连通有进气管。
优选的,一种冷壁法CVD沉积设备中,所述通槽的内壁前后对称连接有弹性夹片。
优选的,一种冷壁法CVD沉积设备中,所述隔热板密封滑动连接沉积箱内壁,所述转向轴通过密封轴承与隔热板转动连接。
优选的,一种冷壁法CVD沉积设备中,所述支撑座的底部四角安装有移动轮,所述支撑座的外壁安装有控制面板。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型结构设计合理,通过液压杆控制压盖高度,便于对晶片进行装卸,同时能够有效封闭沉积箱开口,便于沉积操作的进行,利用加热棒直接对安装座进行加热,能够充分利用加热产生的热能,减少反应物积聚残留在沉积箱内壁,利用锥齿轮二啮合传动锥齿轮一,转向轴能够带动卡块转动,进而对安装座进行翻转,方便对晶片的两个端面进行加工,避免了气体泄漏,节能环保,方便实用。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





