[实用新型]一种微型LED芯片

说明书

本申请公开了一种微型LED芯片，通过在衬底的第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导电层形成电连接；并且在所述微型LED芯片的周围设置凹凸曲面。应用本实用新型提供的技术方案，不仅可以改变微型LED芯片的出光角度，使得光更集中，减少与近距离的芯片互相影响显示效果，在表面形成较好的混色效果，并且可以有效避免芯片制作过程中的发光面积的损耗，有效提高微型LED芯片的发光效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制作技术领域，尤其是涉及一种微型LED芯片。

背景技术

微发光二极体显示器(Micro LED Display)为新一代的显示技术，结构是微型化LED阵列，也就是将LED结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化，使其体积约为目前主流LED大小的1％，每一个像素都能定址、单独驱动发光，将像素点的距离由原本的毫米级降到微米级。承继了LED的特性，Micro LED优点包括低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等，其功率消耗量约为LCD的10％、OLED的50％。而与同样是自发光显示的OLED相较之下，亮度比其高30倍，且分辨率可达1500PPI(像素密度)，相当于Apple Watch采用OLED面板达到300PPI的5倍之多，此外，具有较佳的材料稳定性与无影像烙印的优势。

随着科学技术的不断进步，Micro LED发展成未来显示技术的热点之一，但其技术难点多且技术复杂。采用RGB技术的显示效果最佳。一般传统的RGB采用三种颜色的微型发光元件阵列转移至接收基板，通过每组三颗RGB平面地聚集在一起形成RGB效果。但由于进入Micro LED的技术后：一方面，芯片尺寸非常小，因此芯片间隔很小，所以各组RGB距离偏小，会产生混色影响，导致RGB的真正效果无法完全发挥出来。另一方面巨量转移混合每组RGB在转移的工艺过程过于复杂，导致量产良率偏低，生产成本过高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种微型LED芯片，在所述微型LED芯片的周围设置凹凸曲面，不仅可以改变微型LED芯片的出光角度，使得光更集中，减少与近距离的芯片互相影响显示效果，在表面形成较好的混色效果，并且可有效避免芯片制作过程中的发光面积的损耗，有效提高微型LED芯片的发光效率。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种微型LED芯片，所述微型LED芯片包括：

衬底，所述衬底具有第一表面；

设置在所述第一表面的外延发光结构，所述外延发光结构包括在所述第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区和第二型导电层；

设置在所述第二型导电层背离所述有源区一侧表面的反射结构；

设置在所述反射结构背离所述第二型导电层一侧表面的保护层；

设置在所述保护层背离所述反射结构一侧表面的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导电层形成电连接；

其中，在所述微型LED芯片的周围设置有凹凸曲面，所述凹凸曲面在所述非故意掺杂层以下靠近所述缓冲层的区域的最凹处半径大于在所述第一型导电层朝所述保护层方向一侧的凹凸曲面的最凹处半径。

优选的，在上述的微型LED芯片中，所述凹凸曲面部分具有规则曲面，所述凹凸曲面的最凹处半径不大于2um。

优选的，在上述的微型LED芯片中，还包括：

设置在所述第二型导电层与所述反射结构之间的透明导电结构。

优选的，在上述的微型LED芯片中，所述透明导电结构包括：透明导电层和/或阻挡层。