[实用新型]一种微型LED芯片

权利要求书

1.一种微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED芯片包括：

衬底，所述衬底具有第一表面；

设置在所述第一表面的外延发光结构，所述外延发光结构包括在所述第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区和第二型导电层；

设置在所述第二型导电层背离所述有源区一侧表面的反射结构；

设置在所述反射结构背离所述第二型导电层一侧表面的保护层；

设置在所述保护层背离所述反射结构一侧表面的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导电层形成电连接；

其中，在所述微型LED芯片的周围设置有凹凸曲面，所述凹凸曲面在所述非故意掺杂层以下靠近所述缓冲层的区域的最凹处半径大于在所述第一型导电层朝所述保护层方向一侧的凹凸曲面的最凹处半径。

2.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其特征在于，所述凹凸曲面部分具有规则曲面，所述凹凸曲面的最凹处半径不大于2um。

3.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其特征在于，还包括：

设置在所述第二型导电层与所述反射结构之间的透明导电结构。

4.根据权利要求3所述的微型LED芯片，其特征在于，所述透明导电结构包括：透明导电层和/或阻挡层。

5.根据权利要求4所述的微型LED芯片，其特征在于，所述透明导电结构为单层透明导电层和单层阻挡层的复合结构，或多层透明导电层与多层阻挡层的交替层叠结构，或所述透明导电层的单层循环结构，或所述阻挡层的单层循环结构。

6.根据权利要求5所述的微型LED芯片，其特征在于，所述阻挡层的材料包括Ti、W、Pt、Cr和Ni中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其特征在于，所述反射结构的材料为金属反射材料、或非金属DBR反射材料、或所述金属反射材料与所述非金属DBR反射材料的复合材料。

8.根据权利要求7所述的微型LED芯片，其特征在于，所述金属反射材料为Au、Ag、Al、Pt和Cu中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其特征在于，还包括：第一导电通道、第二导电通道以及设置在所述第一导电通道内侧壁上的绝缘层；

其中，所述第一导电通道贯穿所述保护层、所述反射结构、所述第二型导电层和所述有源区，以使得所述第一电极通过所述第一导电通道与所述第一型导电层形成电连接；所述第二导电通道贯穿所述保护层和所述反射结构，以使得所述第二电极通过所述第二导电通道与所述第二型导电层形成电连接。