[实用新型]一种基于真空密闭容器内的高功率晶圆探测装置有效
申请号: | 202221649074.4 | 申请日: | 2022-06-29 |
公开(公告)号: | CN218412790U | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 蔡衡;王辉文;严黎明 | 申请(专利权)人: | 湖北九峰山实验室 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王云晓 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 真空 密闭 容器 功率 探测 装置 | ||
本实用新型公开了一种基于真空密闭容器内的高功率晶圆探测装置,包括:真空密闭容器;设置于真空密闭容器内,用于放置晶圆的工作台;设置于真空密闭容器内,用于探测放置于工作台的晶圆的探测模块。在本方案中,通过在真空密闭容器内进行晶圆的高功率测试,以便于采用真空的方式来防止高压电弧放电效应,从而避免晶圆浸泡绝缘油所带来的问题。
技术领域
本实用新型涉及功率半导体器件技术领域,特别涉及一种基于真空密闭容器内的高功率晶圆探测装置。
背景技术
近年来,在能源和环镜保护的压力下,新能源汽车已经成为了未来汽车的发展方向,但新能源汽车的发展离不开功率半导体器件,汽车在控制成本的前提下,为支持快充需求以及支持更大功率密度、高可靠,需要功率半导体器件具有能在高电压下持续稳定工作及高功率承载能力,为此需要研发高功率、高电压的功率半导体器件,而功率半导体器件的成功装车使用就离不开半导体晶圆的高功率、高电压脉冲测试,在此测试过程中会通过导体引入极高电压脉冲在功率芯片电极上,如处理不善,引入极高电压脉冲过程中的路径导体间会因高电压而产生电弧放电,这种电弧放电在测试过程中需要极力避免。
为了解决在高压路径导体间的电弧放电效应,现有的高功率晶圆探测主要采用绝缘油浸的方案,该方案借鉴高压变压器防止电弧效应的解决方法,将被测晶圆浸泡在绝缘油中。然而,此种方式存在如下缺点:
1、由于在更换晶圆等工艺过程中,会导致绝缘油反复接触氧气,绝缘油在光场、电场、温度的影响下会发生氧化,甚至会带入杂质,在这种情况下易造成绝缘油的性质变差,从而导致电弧效应的复发;
2、为防止绝缘油的性质变差导致电弧效应的复发,这就需要定期对绝缘油进行检测,绝缘油的氧化和杂质需要专门的设备或机构,这样为了保证绝缘油的效果,需要频繁更换绝缘油;
3、晶圆浸泡绝缘油后需要增加晶圆清洗的步骤,导致工艺复杂度增加。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种基于真空密闭容器内的高功率晶圆探测装置,通过在真空密闭容器内进行晶圆的高功率测试,以便于采用真空的方式来防止高压电弧放电效应,从而避免晶圆浸泡绝缘油所带来的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种基于真空密闭容器内的高功率晶圆探测装置,包括:
真空密闭容器;
设置于所述真空密闭容器内,用于放置晶圆的工作台;
设置于所述真空密闭容器内,用于探测放置于所述工作台的晶圆的探测模块。
优选地,所述真空密闭容器包括真空密闭腔体和气泵;
所述真空密闭腔体开设有可单向流通的惰性气体入口,所述真空密闭腔体开设有用于与所述气泵的进气口连接的出气口;所述工作台和所述探测模块均设置于所述真空密闭腔体内。
优选地,所述真空密闭容器还包括:
设置于所述真空密闭腔体的内壁的检漏仪。
优选地,所述探测模块包括探针臂、探针和晶圆托盘;
所述晶圆托盘设置于所述工作台的顶部,用于放置所述晶圆并为其提供高电压;所述探针设置于所述探针臂,且用于与所述晶圆顶部连接并为其提供低电压。
优选地,所述探测模块还包括:
设置于所述探针臂与所述晶圆托盘之间,且设有用于同所述探针配合的穿孔的探针台。
优选地,还包括:
设置于所述真空密闭腔体内,且连接在所述晶圆托盘与所述工作台的顶部之间的温度调节台。
优选地,还包括:
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