[实用新型]一种防护结构、酸洗设备及密封部件有效
| 申请号: | 202221644188.X | 申请日: | 2022-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN218160293U | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
| 发明(设计)人: | 余波;谭秀文;吕剑 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F16J15/10 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王关根 |
| 地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 防护 结构 酸洗 设备 密封 部件 | ||
1.一种防护结构,包括:
第一防护结构本体(100)、第二腐蚀源(200)、第三排气通道(300)、第四运动部件(400)、第五工作腔(500)、第六吹净部件(600);其中,
所述第五工作腔(500)包括第一子腔/槽体(501)、第二子腔/槽体(502)、第三子腔/槽体(503)直至第N子腔/槽体(50N),N为自然数;
所述第二腐蚀源(200)置于所述第五工作腔(500)内部或所述第二腐蚀源(200)容器与所述第五工作腔(500)相接且不存在相对运动;
所述第三排气通道(300)与所述第一防护结构本体(100)相接,所述第三排气通道(300)与气体收集装置或相关设备相接,所述第三排气通道(300)将所述第一防护结构本体(100)内部区域与所述气体收集装置或相关设备的通风区域联通;
所述第四运动部件(400)带动工件和/或工艺设备在所述第一防护结构本体(100)内部改变静置位置;
所述第四运动部件(400)与所述第二腐蚀源(200)经所述第一防护结构本体(100)内部的气态介质相互联通或接触;
所述第六吹净部件(600)由第七气源(700)提供第八气体(800),所述第八气体(800)在所述第六吹净部件(600)出气口的第八压力大于预设值或所述第八压力大于所述第五工作腔(500)指定位置的压力;
所述第四运动部件(400)待防护区域与所述第六吹净部件(600)出气口相对设置或固接。
2.如权利要求1的所述防护结构,其中:
所述第一子腔/槽体(501)放置有第一水槽(511)、第二工艺槽(512)、第三工艺槽(513);工件在所述第四运动部件(400)的握持或抓取下按照工艺次序在所述第五工作腔(500)内部改变静置位置;所述第一水槽(511)、所述第二工艺槽(512)、所述第三工艺槽(513)根据工艺要求在所述第五工作腔(500)内放置在预设的位置。
3.如权利要求2的所述防护结构,其中:
所述第二工艺槽(512)为快排冲洗QDR槽,所述第三工艺槽(513)为干燥槽。
4.如权利要求2或3的所述防护结构,其中:
所述第一水槽(511)中放置有王水、硝酸、氢氟酸至少之一。
5.如权利要求4的所述防护结构,其中:
所述第一水槽(511)包括第一子水槽(521)、第二子水槽(522)直至第M子水槽(52M),所述第一子水槽(521)、所述第二子水槽(522)直至所述第M子水槽(52M)放置有王水、硝酸、氢氟酸至少之一;所述第一子水槽(521)、所述第二子水槽(522)直至所述第M子水槽(52M)包括至少一活动连接或可拆卸连接的密封盖,包括所述密封盖的所述第一子水槽(521)、所述第二子水槽(522)直至所述第M子水槽(52M)气密。
6.如权利要求1、2、3或5的任一所述防护结构,其中:
所述第六吹净部件(600)包括1/4英寸可熔性聚四氟乙烯PFA管路,所述PFA管路第一端与堵头密封连接,所述管路每间隔1厘米设有直径0.2至0.3毫米圆孔1个;
所述第八气体(800)采用洁净干燥气体CDA。
7.如权利要求1、2、3或5的任一所述防护结构,还包括:
第九密封部件(900);所述第九密封部件(900)由弹性材料制作,所述第九密封部件(900)填充所述第一防护结构本体(100)指定活动连接部件之间的间隙(111、112、113、114、115)。
8.如权利要求7的所述防护结构,其中:
所述弹性材料包括特氟龙;所述第九密封部件(900)包括特氟龙密封条;所述第一防护结构本体(100)包括机台结构(102)、门板结构(103);所述特氟龙密封条置于所述机台结构(102)与所述门板结构(103)的盖板之间,所述特氟龙密封条的宽度为2厘米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





