[实用新型]一种交流充电桩老化测试系统有效

专利信息
申请号: 202221618123.8 申请日: 2022-06-27
公开(公告)号: CN218240169U 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 邹曙 申请(专利权)人: 深圳市华晟智源科技有限公司
主分类号: G01R1/28 分类号: G01R1/28;G01R1/20;G01R19/165;G01R31/00;G01R31/42;H02J3/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 交流 充电 老化 测试 系统
【权利要求书】:

1.一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:包括与市电相连接的若干串联连接的被测交流充电桩、与所述若干串联连接的被测交流充电桩相对于所述市电的另一端相连接的AC-DC单元、高频隔离型DC-DC单元以及DC-AC单元;所述DC-AC单元的输出端接入所述市电与所述被测交流充电桩的连接部位,即所述被测交流充电桩的输入端;还包括与所述若干串联连接的被测交流充电桩相互并联连接的开关电路;所述开关电路包括若干与各所述被测交流充电桩相互并联连接、用于实现并联保护和不良切换的控制开关;还包括用于进行电流检测及开关控制的电压电流检测与继电器控制单元。

2.如权利要求1所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述若干串联连接的被测交流充电桩还串联连接有传感器,用于检测所述被测交流充电桩输出的电压或电流信号,并将信号输送至所述电压电流检测与继电器控制单元,判断被测的所述被测交流充电桩故障与否。

3.如权利要求1所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述AC-DC单元包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电容C1以及负载模拟控制器;所述MOS管Q1的S级与所述MOS管Q3的D级相连接;所述MOS管Q2的S级与所述MOS管Q4的D级相连接;所述电容C1的两端分别与所述MOS管Q2的D级与所述MOS管Q4的S级相连接;所述负载模拟控制器包括鉴相器、波形发生器以及电流控制器。

4.如权利要求1或2所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述DC-DC单元为一直流变换器;所述直流变换器包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4以及电容C2;所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4与所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4之间通过变压器T1相连接;还包括与所述变压器T1的原边绕组相连接的电容C1。

5.如权利要求3所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述DC-AC单元包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4以及功率因子为1的跟随器;所述MOS管Q1的S级与所述MOS管Q3的D级相连接;所述MOS管Q2的S级与所述MOS管Q4的D级相连接;所述电容C1的两端分别与所述MOS管Q2的D级与所述MOS管Q3的S级相连接。

6.如权利要求2所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述传感器为电压传感器或者电流传感器。

7.如权利要求4所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4为N沟道MOS管。

8.如权利要求3所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述鉴相器根据输入的AC电压瞬时值,算出AC电压的实时相位,送给所述波形发生器,所述鉴相器的输入电压信号经过二阶广义积分构造出两个正交的信号,再经过park变换后,从静止坐标系变换到旋转坐标系,得到D、Q信号,最后经过压控振荡器锁相。

9.如权利要求3所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:所述波形发生器根据需要的模拟负载的类型,进行移相处理,得到需要模拟的电流波形参考值,所述波形参考值做为所述电流控制器的输入信号;输入信号经过所述电流控制器的计算,得到主电路中MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4的驱动信号,从而控制AC侧的实际电流波形;所述电流控制器的输入为交流信号,在控制环中加入重复控制器,用于保证控制效果。

10.如权利要求1所述的一种交流充电桩老化测试系统,其特征在于:相邻的各所述被测交流充电桩之间通过对接装置相互连接;所述对接装置包括对接主机体以及处于所述对接主机体两端部位的第一对接头和第二对接头;所述第一对接头与所述第二对接头分别与两相邻设置的所述被测交流充电桩的枪头相互连接。

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